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介绍了一种PDA等移动设备自绘嵌入式矢量地图的技术.该技术根据所接收到的GPS定位信号,自动绘制移动设备持有者的行进路线,并标注沿线标志性建筑,具有较高的实用价值. 相似文献
62.
对纯钛氩弧焊焊接接头在550 ℃下氧化不同时间(2,4,6,8 h)以及在不同温度(650,750,850,950 ℃)下氧化4 h的氧化动力学、氧化形态和氧化产物进行了研究。结果表明,在550 ℃下,氧化时间对焊接接头氧化行为的影响有限,而氧化温度对纯钛焊接接头的氧化行为有显著影响,且温度越高,氧化越严重。在低温下,纯钛焊接接头的氧化动力学接近准线性定律,随着温度升高,氧化速率呈指数增长。此外,焊接接头表面产生的氧化产物是具有锐钛矿和金红石结构的TiO2,温度对TiO2的类型没有明显影响。纯钛焊接接头的氧化过程可描述为:氧气在表面被吸收;氧化物优先在缺陷区形核;氧化物横向生长、增厚。在较高温度下,氧化膜中出现裂纹或空隙,成为O原子传输通道,导致O和Ti原子的高扩散速率和氧化速率。 相似文献
63.
为考察不同品牌纳豆中纳豆芽孢杆菌的异同,本研究选取了三个产地六个品牌的纳豆产品作为试材,分别是日本的北海道、御城、竹炭、木场水户纳豆,北京的燕京纳豆和大连的美屋纳豆。从这六种品牌的纳豆中分离纯化得到了15个具有纳豆芽孢杆菌典型菌落特征的单菌落,并且与模式菌株1.1086株分别从菌落形态、菌株的细胞形态和生理生化实验以及16S rRNA序列分析四个方面进行对比鉴定。结果表明,这15株芽孢杆菌都为纳豆芽孢杆菌,其中10株与模式菌株的16S rRNA序列有99%的同源性,3株是98%,2株是97.5%。并且对挑选出的15株纳豆芽孢杆菌采用琼脂糖-纤维蛋白平板的方法测定纳豆激酶的活性,结果表明NB-8和NB-12具有较高的纳豆激酶活性,酶活力分别达到了1076.663 U/m L和1073.85 U/mL。 相似文献
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建筑工程安装电气设备时要做好防雷接地工作先进的防雷施工技术可以保证建筑物的安全,有效防范因雷击而产生的危险.文章介绍了防雷接地施工的重要性和技术原理,对建筑防雷接地技术的应用及注意事项进行了分析论述,以促进建筑电气安装施工技术水平进一步提升. 相似文献
65.
运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟,并就入射离子的入射能量和角度进行了分析,得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律:1)溅射产额随着入射离子能量的增加而增加,在低能量区域增加很快,到了高能量区域增加变缓;2)溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大,且在70°~80°出现极大值,如当入射离子的入射角度为75°,入射离子能量为7 keV时,溅射产额可达4.398(原子.离子–1);3)溅射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差,导致薄膜成分与靶材成分不一致。 相似文献
66.
应急救援装备应朝着常备化发展 总被引:1,自引:0,他引:1
雒泽华 《建设机械技术与管理》2011,24(5):1-1
近来西方国家频频有牧师或所谓的预言家爆出"末日预言",尽管一再被证明是杞人忧天,有的甚至是盅惑人们捐赠财产的骗局,但是这些预言也折射出近几年全球重大灾害高发的状况,从印度洋海啸、巴基斯坦大地震、美国飓风到中国汶川地震,再到去年的海地地震、今年的日本地震加海啸,大自然的魔力一次次得到证明,人们对于灾害的恐惧也一次次在加深。 相似文献
67.
以泡桐花为原料水提醇沉法制备多糖,测定泡桐花多糖的体外、体内抗氧化活性。体外抗氧化测定结果显示,泡桐花多糖对超氧阴离子、羟基自由基清除以及抑制H2O2溶血有较好的效果,呈剂量依赖性;质量浓度0.5 mg/mL时,对超氧阴离子和羟基自由基清除率分别达到54.36%,74.62%,超过半数效应50%;质量浓度2 mg/mL时,抗H2O2氧化溶血率超过阳性对照组Vc(1 mg/mL)。体内抗氧化测定结果显示,泡桐花多糖低、中、高(日剂量5、10、20 mg/mL,0.2 mL)小鼠灌胃28 d对体质量无影响;血清和心脏、肝脏、肾脏、回肠脏器超氧化物歧化酶(superoxide dismutase,SOD)、还原型谷胱甘肽(glutathione,GSH)、丙二醛(malondialdehyde,MDA)含量和总抗氧化能力(total antioxidant capacity, T-AOC)检测表明,与空白组相比,不同剂量的泡桐花多糖能够增加或显著增加SOD、GSH含量和T-AOC水平(P<0.05),同时降低MDA含量,并存在一定的量效关系。研究表明泡桐花多糖具有良好的抗氧化活性,可作为天然抗氧化剂应用于食药工业。 相似文献
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69.
颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
硬盘盘基片粗抛光必须在较高材料去除率的基础上获得高表面质量。分别用合成法和粉碎法制得的α-A l2O3颗粒做了抛光实验,并分析了抛光液中氧化剂、络合剂含量和抛光液pH值对材料去除率的影响机制。结果表明:用合成法制得的颗粒抛光后基片表面凹坑严重,降低抛光液配方中氧化剂的含量,虽可使表面粗糙度(Ra)和表面波纹度(Wa)大幅降低,但材料去除率也大幅下降,该颗粒不适合基片粗抛光;用粉碎法制得的颗粒抛光后基片表面划痕密集,加入一定量的减阻剂后基片Ra和Wa大幅降低,材料去除率有所降低但仍维持在较高的水平,因此减阻剂可平衡该颗粒的材料去除率和抛光表面质量;粉碎法制得的颗粒抛光液中,随氧化剂和络合剂的增加,材料去除率均呈先升后降趋势;pH值的升高会使材料去除率下降,但酸性太强会引起过腐蚀,适宜的pH在2.0~3.0之间。 相似文献
70.