SiC纳米粉的光致发光研究

首次发现ＳｉＣ纳米粉的光致发光效应，通过透射电镜、选区电子衍射、Ｘ射线衍射、高分辨电子显微镜和化学分析，证明量子限制效应是β－ＳｉＣ纳米粉发光的主要机理     

红外热探测器陶瓷的进展

本文综述了红外热探测器的原理及相产的热释电陶瓷，对不同材料的性能作了比较，并介绍了红外热探测器的介电式工作模式和相应材料的性能。     

凝胶自蔓延法制备Ba2Ti9O20

以TiO(NO3)2-Ba(NO3)2-C6H8O7·H2O-NH3·H2O为体系,150℃平板快速干燥,采用凝胶自蔓延法经600℃燃烧,在1 200℃可得到单相Ba2Ti9O20.利用DTA,TG,XRD等技术表征了干凝胶和最终得到的氧化物粉末.结果表明干燥温度影响了干凝胶的均匀性,从而决定了最终形成的产物的相组成.分析了凝胶干燥过程的反应机理.     

化学气相反应法合成SiC超细粉的成核和生长过程的研究

借助于ＴＥＭ观察，讨论了化学气相反应法合成ＳｉＣ超细粉的成长机理，分析结果显示，由于气体流速不同，合成的ＳｉＣＦ超细粉颗粒尺寸和颗粒形貌有较大变化，颗粒尺寸和颗粒形貌的变化成核和生长机理决定，一般涉及到均匀成术怜惜是相成核，团聚和熔融。     

热处理对磷酸钙微晶玻璃中β-Ca2P2O7晶相含量的影响

在不同条件下对摩尔组分为3Na2O-12TiO2-57CaO-28P2O5玻璃进行热处理，研究其热处理条件与微晶玻璃的β-Ca2P2O7晶相古量和生物活性的关系。实验结果表明：该组成玻璃经热处理后，可以获得含有β-Ca2P2O7，CaTi4(PO4)6，NaTi2(PO4)3和TiP2O7晶相的微晶玻璃，β-Ca2P2O7为主晶相。随着成核温度提高和成核时间的延长，β-Ca2P2O7晶相在微晶玻璃中含量增加。含较多β-Ca2P2O7晶相的微晶玻璃有较强的生物活性，主要是由于β-Ca2P2O7晶相有较强的促进生物活性的能力，因而使微晶玻璃有较强的生物活性，其结果是改变微晶玻璃的热处理条件就改变了向微晶玻璃的生物活性。     

前驱体浓度对超声雾化热解法制备ZnO薄膜性能的影响

采用超声雾化技术,以醋酸锌水溶液为前驱体溶液,在加热的玻璃衬底上制备得到ZnO薄膜.研究了不同前驱体溶液浓度和不同加热温度条件下制得的ZnO薄膜的微观结构和光学性能.测试结果表明,ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,在合适的条件下可以制备出沿(002)晶面取向生长的样品,具有优良的均匀性和致密性.同时在可见光区也表现出80%以上的高透过率.     

DBDCVD法制备a-Si:H的性能研究

本文用介质阻挡放电化学气相沉积(DBDCVD)在室温下进行了非晶氢硅薄膜制备.通过硅烷氢气流量比、DBD放电电压等工艺条件的调整,在玻璃上沉积了系列样品.研究表明,DBDCVD法可以在室温下快速制备非晶氢硅薄膜,最大沉积速率可达0.34nm/s,由于DBDCVD的高能量和室温沉积的特点,薄膜中硅-氢键以SiH2为主.随硅烷反应气体浓度的变化,薄膜的光学带隙可在1.92eV～2.18eV之间调整.     

真空热蒸发碲化镉薄膜的结构组成和光电性能研究

研究了真空热蒸发制备CdTe薄膜的光电性能以及微结构,化学组成和成膜机理,通过X射线衍射,透射电镜电子衍射,X光电子能谱我光,暗电导测试等分析手段,系统表述了薄膜的组成,结构,表面氧化与真空热蒸发工艺的关系,指出基板温度是决定CdTe薄膜组成和结构的关键参数,150度左右制备的CdTe薄膜具有最佳光电性能和成膜质量,另外,对CdTe薄膜的氧化机制和成膜机理也进行了初步探讨。     

低镜面反射纳米硅镀膜玻璃制备及拉曼光谱表征

为解决"光污染"问题,我们采用化学气相沉积的方法及后退火工艺,制备了低镜面反射纳米硅镀膜玻璃.用拉曼谱对样品的微结构进行表征,并测量了薄膜的反射率.结果表明,退火样品由于表面氧化形成低折射率的氧化物,以及大晶粒增强了对可见光的散射,因而具有低的反射率.     

溶胶凝胶法0.5PbTiO_3/0.5NiFe_2O_4两相复合陶瓷的制备

通过sol-gel原位复合方法制备了两相比例为1∶1的铁电PbTiO3(PTO)/铁磁NiFe2O4(NFO)复合粉末以及陶瓷材料,利用XRD对复合体系的物相结构进行了研究,利用SEM对复相粉体及陶瓷的形貌进行了观察,采用阻抗分析仪(Agilent 4294A)测试了复合陶瓷的介电性能以及磁性能。结果表明,在550℃热处理温度下制备的原料粉末形成了PbO相及少量PTO和NFO相,650~700℃下形成了PTO和NFO两相,750℃以上则形成PTO、NFO和PbFe12O19(PFO)三相,热处理时间则对粉末形成影响不大。不同的原料粉末在1150℃下烧结后均形成了PTO和NFO两相均匀分布的复相陶瓷。控制在粉末先驱体中预先形成需要的两相,并控制相对较高的PTO相含量,可得到介电性能相对较好的陶瓷。控制相对较低的原料粉末制备温度,抑制PTO相在原料粉末中的形成,有利于得到较好磁性能的复相陶瓷,也即控制原料中的晶相形成,可以调节这种铁电铁磁两相复合陶瓷的性能。