镁合金微弧氧化脉冲电源控制电路的设计

自行研制了一种微弧氧化电源控制系统,该系统以Intel公司生产的MCS96系列16位高性能80C196KB为核心,采用硬件、软件同步设计,对整个系统的动作程序和工艺参数进行控制,电源实现了预置工艺参数及微弧氧化过程中实时电流、电压显示,并具有故障显示功能。硬件电路设计采用有效的抗干扰措施,使整个控制系统稳定性高,更可靠。实验结果表明,该系统可以满足微弧氧化工艺的要求,实现了微弧氧化的自动化。     

NaVO_3对AZ91D镁合金微弧氧化膜的影响

对AZ91D镁合金进行了微弧氧化处理,获得了棕黄色的陶瓷氧化膜层,并研究了不同质量溶度的NaVO3对微弧氧化膜颜色、结构和性能的影响。结果表明,微弧氧化膜层的生长速率随着NaVO3质量溶度的增加逐渐增大,耐蚀性呈先增大后减小的趋势,同时膜层颜色也逐渐变深,但是过量NaVO3的加入不利于反应成膜。EPMA分析表明膜层主要含有Mg、Al、V、O和少量P元素,但含P物相在XRD分析中并没有被检测到,应归因于膜层中P元素含量较少和生成的膜层较薄,使得含P物相在膜层中的沉积量较少。     

SiCp／ZA27复合材料在半固态等温热处理中的组织演变

研究了Zr变质处理的SiCp／ZA27复合材料在半固态温度保温过程中的组织演变情况,并与基体合金作了对比。结果表明：经0．6％Zr处理SiCp/ZA27复合材料在460℃保温30－40min可获得良好的半固态成形所需的组织;复合材料的组织演变速率比基体合金的快,且在长时间保温（＞40min）时,其组织的粗化现象不如基体合金明显。     

Structural evolution of ZA27 alloy during semi-solid isothermal heat treatment

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＳｅｍｉ ｓｏｌｉｄｆｏｒｍｉｎｇｈａｓａｗｉｄｅｕｓｅｆｏｒｉｔｓｉｍｐｒｏｖ ｉｎｇｐｒｏｄｕｃｔｑｕａｌｉｔｙａｎｄｄｅｃｒｅａｓｉｎｇｃｏｓｔｓ[1～ 3] .Ｉｔｉｓｃｏｍｐｏｓｅｄｏｆｔｈｒｅｅｍａｉｎｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ,ｓｕｃｈａｓｓｅｍｉ ｓｏｌｉｄｍａｔｅｒｉａｌｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ,ｐａｒｔｉａｌｒｅｍｅｌｔｉｎｇａｎｄｔｈｉｘｏｆｏｒｍ ｉｎｇ .Ａｍｏｎｇｔｈｏｓｅ ,ｔｈｅｓｅｍｉ ｓｏｌｉｄｂｉｌｌｅｔｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｉｓｔｈｅｍｏｓｔｉｍｐｏｒｔａｎ…     

矫直机减速机高速轴的改造及强度计算

介绍济钢引进的荷兰4号矫直机改造中减速机高速轴的强度计算及具体改造方案。     

新型镁合金ZW21的开发

为提高镁合金的铸造性能和力学性能,采用正交试验法优选出新型镁合金ZW21的成分(质量分数,%)为:2Zn,0.3Zr,1Y,0.5Nd,0.5Sn,0.05Ca,该合金与国内外常用镁合金相比,具有较好的力学性能,发展前景广阔.     

细化剂对ZA27合金触变组织的影响

采用半固态等温处理法研究了细化剂Zr加入量对ZA27合金在半固态等温热处理中组织的影响。 结果表明,只要达到0．04％Zr时,就能获得触变成形组织,随Zr量的增加,初生相由发达的树枝晶逐渐演变为细化的短轴晶和等轴晶,但Zr含量不宜超过0．2％;在半固态等温处理后发现初生相细化得愈好,所得到的组织粒度愈小,圆整度愈好。     

冲裁零件的交互式几何造型

采用构造体素法（ＣＳＧ）边界表示法混合式表示模式来完成冲裁零件的几何造型,具有实时显示、高效输入的优点。结合双向循环链表和二叉树这２ 铲表征了包含冲裁件和何信息的拓扑信息的数字模型。从而为面向工程的模具ＣＡＤ／ＣＡＰＰ／ＣＡＭ集成提供了理论上和技术上的可行基础。     

Electroluminescence enhancement in blue phosphorescent organic light-emitting diodes based on different hosts

Blue phosphorescent organic light-emitting diodes(OLEDs) are fabricated by utilizing the hole transport-type host material of 1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene(MCP) combined with the electron transport-type host material of 1,3-bis(triphenylsilyl)benzene(UGH3) with the ratios of 1:0,8:2 and 6:4,and doping with blue phosphorescent dopant of bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2)picolinatoiridium(FIrpic).The device with an optimum concentration proportion of MCP:UGH3 of 8:2 exhibits the maximum current efficiency of 19.18 cd/A at luminance of 35.71 cd/m2 with maintaining Commission Internationale de L’Eclairage(CIE) coordinates of(0.1481,0.2695),which is enhanced by 35.7% compared with that of 1:0 with(0.1498,0.2738).The improvements are attributed to the effective carrier injection and transport in emitting layer(EML) because of mixed host materials.In addition,electron and exciton are confined in the EML,and 4,4’,4’’-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine(TCTA) and Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexane(TAPC) have the high lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) energy level and triplet exiton energy.     

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响

采用溶胶一凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜，对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析。研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响，随着热处理温度的增加，ITO膜随机取向增加，晶粒增大，晶格常数在400℃时畸变最小。热处理温度为450℃时ITO膜的择优取向较弱，晶粒较大，晶格畸变较小，ITO膜的方阻最小。