试验次数对AZ91D镁合金微弧氧化的影响

在硅酸盐体系中,研究了试验次数对微弧氧化起弧电压和终止电压以及膜层微观结构和性能的影响,并初步探讨电解液老化的原因。研究表明,随着试验次数的增加,起弧电压、终止电压、膜层厚度、粗糙度、膜层的微观结构及其宏观质量的变化各不相同;电解液的老化与沉淀的出现有关。     

乳化剂种类对HPMC基抗氧化避光膜材结构及抗氧化性能的影响

羟丙基甲基纤维素(HPMC)具有良好的成膜性能,加入柠檬酸钠(SC)可制备成避光膜,在此基础上利用不同种类的乳化剂包埋油溶性茶多酚(LTP)加入到HPMC基避光膜中制备出HPMC基抗氧化避光膜。运用衰减全反射傅立叶变换红外光谱(ATR FT-IR),广角X射线衍射(XRD),小角X射线散射(SAXS),扫描电子显微镜(SEM)及过氧化值测定等方法研究了复合膜内的分子相互作用,结晶结构,分形结构,形貌结构和抗氧化性能。研究表明,不同的乳化剂种类使得膜材断面结构发生变化,断面孔洞的数量,大小与形状也有了一定程度的改变;影响到HPMC复合膜材内有关CH、—CH 2—及—CH 3官能团的振动收缩;并且能够使得复合膜内HPMC分子链的碰撞和重组从而影响结晶结构的组成和结晶度大小;同时对于体系内油溶性茶多酚的释放产生一定影响。     

丁坝在荷兰莱茵河航道整治中的作用

莱茵河航道整治中采取了修建对口丁坝、堰闸及河道疏浚、裁弯取直等多种工程措施,极大地改善了莱茵河的航运条件.其中对口丁坝发挥了重要作用,束窄河道、壅高水位、增加航运水深,同时保护河岸.系统介绍了荷兰莱茵河航道整治的历史和目前对口丁坝在航道整治中的作用,不仅可为国内河流航道整治提供参考,也可使从事多沙河流治理的科研工作者全面了解对口丁坝的应用情况.     

基于PSD的水利工程变形监测系统设计及室内检验

为高精度实现水利工程变形测量,设计一套基于PSD的变形监测系统。将激光器安装在水利工程易出现变形的位置上,通过实时观察照射在PSD表面的光斑位置变化,测出水利工程水平和竖直方向的微位移。对PSD输出的信号进行处理,利用单片机对转换后的4路信号进行位置计算,并用遗传算法与LM-BP神经网络法相结合的模型对PSD进行非线性校正,将位置结果显示在数码管和系统界面上。监测系统在模拟水利工程环境的室内已检验设计功能,同时PSD作为新型传感器,分辨力高,信号处理简单,可代替其他监测设备广泛用于水利工程的变形监测。     

混合方式对受控扩散凝固过共晶Al-Si合金初生硅相的影响

采用受控扩散凝固技术(CDS)制备Al-15％Si(质量分数)合金,研究混合方式对受控扩散凝固Al- 15％Si合金初生硅相尺寸、形貌和分布的影响.结果表明:受控扩散凝固可以明显细化初生硅相,改善初生硅相形貌和在组织中的分布.其中,液-液混合细化效果比固-液混合细化效果好,特别是通过液态纯铝与液态Al-25％Si合金的液-液混合受控扩散凝固制备得到的凝固组织,其初生硅相平均尺寸仅为14μm,且在组织中分布均匀.     

成形参数对AZ91D镁合金触变成形性与缺陷形成的影响

研究了不同成形工艺参数，如坯料加热温度、加热时间和模具预热温度（模具温度）对AZ91D镁合金触变成形性与缺陷形成的影响。结果表明：成形性、缺陷形成与加工参数紧密相关。合适的成形参数为：坯料加热温度在575～595℃，加热时间超过75min，模具预热温度超过275℃；主要有冷隔、液相偏析、缩松、裂纹和氧化夹杂5种缺陷。其中，裂纹和氧化夹杂是主要的缺陷。     

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响

采用溶胶一凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜，对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析。研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响，随着热处理温度的增加，ITO膜随机取向增加，晶粒增大，晶格常数在400℃时畸变最小。热处理温度为450℃时ITO膜的择优取向较弱，晶粒较大，晶格畸变较小，ITO膜的方阻最小。     

φ8800mm焦炭塔的焊后整体热处理

介绍了直径8800mm的两台焦炭塔采取燃油法焊后整体热处理的工艺系统及热处理过程,各项 数据表明,整体热处理效果良好,完全符合设计要求。     

模具CAD／CAM技术的发展概况

综述了国内外模具ＣＡＤ／ＣＡＭ技术的发展概况,指出了模具设计过程的规范化、设计方法的算法化及数据结构的合理设计将是该项技术的关键所在;阐明了几何造型在模具ＣＡＤ／ＣＡＭ过程中的重要性,它将为整个设计过程提供完整的原始设计信息,并简述现有２Ｄ几何造型系统的研究现状及存在的问题     

金属件涂装前处理工艺对涂层质量影响因素分析

重点分析了除油脂、除锈蚀和氧化皮、表面调整、磷化、钝化等几方面前处理工艺对涂层质量的影响,获得了较优秀的磷化配方。