轻松健康美味的一天

一、美国转基因作物的普及现状 自二十世纪80年代初美国进行转基因作物的研究开始,FDA审批的转基因作物品种已有40余种,并已有40%的农田种上了转基因作物,其基因技术的研究也领先于其他国家.目前,美国是转基因食品应用最多的国家,其60%以上的加工食品含有转基因成份,90%以上的大豆、50%以上的玉米都属于转基因作物.在2000年时,美国的转基因作物种植面积就占到世界种植总面积4420万公顷的68%.美国孟山都公司准备在2005年将转基因小麦正式推向市场.     

浅谈虚拟光驱及应用

计算机及相关设备在日常工作和生活日益普遍,许多的资料也都是由计算机生成、处理和存储的了。为了分类和存储方便,又有许多资料做成光盘镜像。为了读取光盘镜像的资料,有时需要刻录成光盘,操作不方便,本文介绍一种虚拟光驱软件,可以极大的方便对光盘镜像的资料使用。     

LabVIEW软件平台在测试系统软件设计中的应用

LabVIEW是一种基于G(Graphical)语言的虚拟仪器开发平台,本文简要介绍了所选用的LabVIEW软件开发平台,并制订了该软件平台在测试系统软件设计的总体框架,大大提高了开发效率.     

原子氧处理对氧化锌薄膜的结构及光学特性的影响

本文采用脉冲激光沉积方法在Al2O3(0001)基底上,500℃的衬底温度条件下,制备出了具有高度C轴择优取向的氧化锌薄膜.用自行研制的同轴源型原子氧地面模拟装置,以1.62×1016AO·cm-2·s-1的原子氧束流强度(氧原子能量约5ev)对制备的薄膜进行了不同时间(30、60、90和120min)的处理.通过X射线衍射(XRD)、透射光谱和拉曼光谱等分析手段对原子氧处理前后薄膜的结构及光学特性进行了分析.氧化锌薄膜的结晶质量随原子氧作用时间增加而显著变好,晶粒尺寸呈变大趋势,缺陷浓度明显降低;氧化锌薄膜的禁带宽度随原子氧作用时间增加而变小.采用本方法处理的氧化锌薄膜,可用于制备高性能的氧化锌基光电器件.     

工业锅炉用智能气动阀门定位控制器的研究

根据工业锅炉的实际情况,选择开关阀作为阀门定位器的控制元件,并选择基于PID的PWM作为系统的控制策略。介绍了阀门空位系统的构成,通过对控制器软硬件的设计,开发了智能气动阀门定位器专用控制器,通过实验验证了该系统的定位精度、鲁棒性以及稳定性,结果表明该控制器完全达到设计要求。     

φ2500蝴蝶阀动水关闭试验与分析

介绍了南水电厂φ2500蝴蝶阀的动水关闭试验开方法和过程,详尽地阐述了试验过程中出现的各种现象,系统地分析了产生的原因。     

由红外透过谱确定金刚石膜的光学常数及相关因素

结合金刚石膜的具体情况,考虑到色散效应、膜的微结构、表面粗糙度及样品中自由载流子和C-H的吸收等多种因素对红外透过谱的影响,在无吸收单层膜透过率模型的基础上进行了修正,给出了自支撑金刚石薄膜透过率的数学模型.并对不同制备方法和工艺参数下沉积的金刚石膜的红外透过谱用Levenberg-Mar-quardt算法进行非线性最小二乘拟合,从而确定出样品的红外光学常数和其它影响透过率的因素.这些结果对正确分析金刚石薄膜的红外光学性质是很重要的.     

人造板饰面涂布装饰原纸的制备及其印刷适性研究

目的为了解决传统装饰原纸大量加填所导致的填料流失严重、成纸强度较低和印刷适性不理想的问题。方法实验以传统生产工艺为基础,减少原纸在抄造过程中的加填量,通过对纸张进行涂布来提高其质量。对装饰原纸表面进行涂布后检测涂布装饰原纸的物理性能和印刷适性,并采用PDA动态渗透特性分析仪研究装饰原纸的表面孔隙开放程度和内部孔隙大小情况。结果涂布装饰原纸与市售高档装饰原纸相比,白度提高了0.6%,粗糙度下降了6%,匀度提高了33%,抗拉强度提高了340%,印刷色密度在暗调部分提高了21%,中间调部分提高了29%,亮调部分提高了55%。结论当原纸内钛白粉加填的质量分数为20%,涂料中二氧化钛和瓷土质量比为50∶50~60∶40之间的涂布装饰原纸的各项性能得到改善。     

基于AlxNy绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器

提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力,改善半导体激光器的工作特性,一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点.基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理,采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射生成不同内应力的AlxNy绝缘介质膜.通过研究大功率半导体激光器腔面退化机理,借助AlxNy等应力膜设计制作了一种新型非吸收透明窗口结构的宽条形半导体激光器,使器件平均最大输出功率提高46.5%,垂直发散角达到21°,水平发散角达到6.1°,2000 h加速老化试验,其千小时退化速率小于0.091%.     

高功率850 nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW。