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21.
TiO2薄膜的液相沉积法制备及其性能表征   总被引:7,自引:0,他引:7  
采用液相沉积法(LPD)制备了透明TiO2薄膜,并研究了所制薄膜的形貌、结构和在紫外光照射下亲水性能的变化.结果表明,用此法制得的TiO2薄膜较为均匀致密,热处理前后的薄膜具有相似的亲水性能,在紫外光照射下亲水性能都有提高.热处理后的薄膜在紫外光照射一定时间后可与水完全润湿.  相似文献   
22.
快速烧结制备纳米Y-TZP材料   总被引:29,自引:1,他引:28  
研究了快速热压烧结和放电等离子快速烧结(SPS)制备纳米Y-TZP材料.利用快速热压烧结和 SPS快速烧结,可在烧结温度为 1200℃、保温9~10min条件下,制得相对密度超过99%的 Y-TZP材料.研究发现:虽然快速热压烧结和 SPS烧结都可使Y-TZP在相同温度下的密度高于普通热压烧结,但两种快速烧结所得Y-TZP的晶粒都大于无压烧结所得;另外,快速热压烧结所得样品的结构不够均匀,而SPS烧结的样品的均匀性较好.文章对产生这些现象的原因进行了理论探讨.  相似文献   
23.
聚乙烯亚胺在SiC粉体上的定量吸附研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
利用紫外一可见光谱研究了分散剂聚乙烯亚胺在粉体SiC上的定量吸附情况.加入酸性PEI后粉体SiC表面的电性发生改变,等电点由pH=2.0移至pH=10.5.分散剂在粉体上的吸附满足Langmuir单层吸附方程.对分散剂PEI-H(pH=3.57)来说,单层吸附值为0.0172mg/mL.对分散剂PEI-H(pH=661)来说,单层吸附值为0.0208mg/mL.利用富利叶红外光谱证实了这种吸附作用.  相似文献   
24.
本文采用共沉淀法制备了YAG-Al纳米复合粉体.并通过XRD、TEM详细研究了粉体组成、形貌随煅烧温度的变化.研究表明,在1300℃下煅烧可获得YAG粒径约100nm、分散均匀、无杂相的YAG-Al纳米复合粉体.粉体在1450℃可热压烧结致密,远低于文献报道的热压烧结温度1600℃.用共沉淀法制备YAG-Al纳米复合粉体具有成本低、产量高和工艺简单的优点.  相似文献   
25.
超高压成型制备Y-TZP纳米陶瓷   总被引:24,自引:0,他引:24  
研究了用超高压成型制备Y-TZP纳米陶瓷的新方法.通过采用新的成型方法,在5000吨六面顶压机上实现了高达3GPa的超高压成型,获得相对密度达60%的3mol%Y-ZrO陶瓷素坯,比在450MPa下冷等静压成型所得素坯的密度高出13%.这种超高压成型所得素坯具有极佳的烧结性能,可在1050~1100℃下经无压烧结致密化.研究表明,这种素坯烧结性能好的主要原因是素坯的相对密度比较高,从而大大增加了物质的迁移通道.由于烧结温度极低,有利于制备ZrO晶粒尺寸<100nm的纳米陶瓷。在1050℃/5h的条件下,可烧结得到相对密度达 99%以上的 Y-TZP纳米陶瓷,平均晶粒仅为 80nm.  相似文献   
26.
本文采用共沉淀法制备了YAG-Al2O3纳米复合粉体。并通过XRD、TEM详细研究了粉体组成、形貌随煅烧温度的变化。  相似文献   
27.
Zn铁氧体纳米晶的磁性及微结构研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
姜继森  高濂  杨燮龙 《功能材料》2000,31(6):593-595
通过高能球磨方法由α-Fe2O2+ZnO混合粉体制得的Zn铁氧体纳米晶具有非正型分布的尖晶石结构,表现为亚铁磁性,其比饱和磁化强度σs=16.4emu/g。通过适当的热处理可以使Zn铁氧体的结构向正型分布转变;使其磁性向顺磁性转变。  相似文献   
28.
量子尺寸氧化钛纳米晶的制备及其光谱研究   总被引:15,自引:0,他引:15  
以TiCl为原料,制备了金红石相透明的氧化钛胶体(d=3nm)和粉体(d=6.8nm).用紫外-可见光谱、反射光谱和导数吸收谱研究了金红石相氧化钛纳米晶的量子尺寸效应.实验观测到的量子尺寸效应比锐钛矿相氧化钛显著;也大于有效质量近似和紧束缚近似的预测值.  相似文献   
29.
孙静  高濂 《材料导报》2000,(Z10):387-388
利用原子力显微镜研究了氧化铝球粉体与氧化铝陶瓷基片在非惰性介质氯化镁中相互作用力。在低盐浓度条件下,作用力表现为长程斥力,在较高的盐浓度下,作用力为短程作用力。在不同pH条件下,作用力表现为排斥力或吸引力。pH等于10.5时,力作用曲线图中有两处跳吸。其中一处在两表面距离为4nm处,由于镁离子形成了水合氢氧化物,起到了排斥作用。  相似文献   
30.
陶瓷电容器,尤其是边界层陶瓷电容器由于具有许多优良的性能,而越来越受到人们的重视.通常用于陶瓷电容器的材料是具有弛豫铁电性能的钛酸盐类材料.本文则介绍了将SiC材料用于制备陶瓷电容器,结果发现,电容器的介电常数高达2 910 000,远远高于传统材料;而同时,其介质损耗也非常高.在此,对降低损耗的工艺过程进行了探讨.  相似文献   
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