高压线路接地巡回检测器

6～35千伏的高压电网为中性点不接地系统。当发生单相接地故障时,接地电流引起的电弧有可能烧损电机铁芯,而另外两相对地的电压将由相电压升高至线电压。(相电压的3~(1/2)倍)。如不及时排除,有可能使高压设备的绝缘击穿,造成相间短路而导致故障扩大。因此,一般变电所内均安装用于接地检测的三相五柱电压互感器。故障时,由其开口三角绕组产生的零序电压使讯号装置动作而发出接地警告,由值班人员凭经验和猜测逐盘拉闸,以确断故障所在。这样,经常会使正常线     

ABS树脂与天然橡胶粘合的研究

研究ＡＢＳ树脂与天然橡胶粘合的胶粘剂配方与粘合方法，研究结果表明：采用ＮＢＰ、２４０２树脂、ＡＢＳ树脂并用制成胶粘剂与用ＮＲ、ＮＢＲ并用制成的胶粘剂按一定比例配合涂于ＡＢＳ试片上，天然橡胶试片涂上ＮＲ、ＮＢＲ胶粘剂，试片粘合后的剥离强度可达１．２６ＫＮ／ｍ，将两种胶粘剂按不同比例配合，分层涂于ＡＢＳ试片上，剥离强度可进一步提高。     

Ring0层敏感文件窃泄密监测系统

为使敏感文件免遭窃泄密攻击的威胁,设计并实现一个基于Ring0层的主机型敏感文件窃泄密监测系统,通过敏感文件查找、文件异常行为监测等功能,对敏感文件进行实时监测和保护。该系统已应用于实际工作中,取得了良好效果。     

北京市燕京饭店工程设计概况

北京市燕京饭店(原名复兴饭店)是较大型的接待外宾的旅馆,位于北京复兴门外大街北侧,总建筑面积约4万平方米,客房有574间,共计1030床位,主楼共有22层,其中客房层20层。一、建筑设计全楼共分四个部分:客房楼;餐厅、商     

AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响

结合垂直腔面发射激光器的制备,详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响,给出了合理的定性解释,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件.在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器.     

东秦岭-大巴山逆冲推覆构造与油气远景

扬子北缘有4套性质不同的原型盆地,即被动大陆边缘盆地(Pt3-O),周缘前陆盆地(D-C)、拗拉槽盆地(P-T),陆内前陆盆地(T3-K1).扬子板块北缘古生代盆地经历了4期构造变动,但是对扬子北缘古生代盆地构造起决定作用的是晚加里东运动和晚印支-燕山期构造运动,而早、中海西期构造变动和晚海西至早印支期构造变动相对较弱.计算南秦岭-北大巴地区褶皱、应变、逆冲断层叠覆缩短量为918.8km.扬子北缘构造变形趋势由北向南从强变弱,由深变浅,形成了a)被动大陆边缘盆地构造变形样式构造组合同斜褶皱-韧性逆掩构造组合,单向冲断-褶皱构造组合;对褶皱-逆冲构造组合;b)前陆盆地构造变形样式斜歪褶皱-逆冲构造组合与等倾褶皱-逆冲构造组合;c)拗拉槽构造变形样式等倾褶皱-对冲构造组合.川东北区发育4套烃源岩,主力烃源岩为下寒武统碳质板岩、上奥陶统-下志留统黑色硅质、泥质岩及二叠系碳酸盐岩和泥质岩、上三叠-下侏罗统湖沼相泥质岩.燕山晚期随着大巴山褶皱冲断带不断向南的推进,并对前期的北东向构造产生叠加改造,形成多层次的叠加褶皱.喜马拉雅运动以来区内的构造形变进一步加强,北西向构造进一步发育成型,形成现今的构造景观.大巴山逆冲推覆构造带构造变形在横向具分带性,在垂向上具分层性.在大巴山前,存在3条构造变形带,其变形强度由北而南依次递减,形成上下不协调的3层结构.不同构造带因卷入变形的层系不同,油气勘探前景明显有差,冲断褶皱构造带构造变形强度明显较叠瓦冲断带要弱,垂向上浅层变形较强,深层变形较弱,深浅层构造往往不一致,上变形层油气保存条件相对较差,下变形层构造宽缓,断裂往往消失于志留系滑脱层中,油气保存条件较好,是今后油气勘探新领域.平缓褶皱构造带,构造变形最弱,出露地层最新,油气保存条件最好,是油气勘探的主战场.     

1550 nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55 μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA).采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7.的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%.对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度.对一腔长800 μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB.而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB.     

a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为

采用 PECVD技术在 P型硅衬底上制备了 a- Si Ox∶ H/a- Si Oy∶ H多层薄膜 ,利用 AES和 TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为 .结果表明 :a- Si Ox∶ H/a- Si Oy∶ H多层薄膜经退火处理形成 nc- Si/Si O2 多层量子点复合膜 ,膜层具有清晰完整的结构界面 .纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构 ,颗粒大小随退火温度升高而增大 .在一定的实验条件下 ,样品在 650℃下退火可形成尺寸大小合适的纳米硅颗粒 .初步分析了这种多层复合膜形成的机理     

两性加脂剂CL—819的应用研究

对两性加脂剂CL－819进行了应用对比试验，结果发现两性加脂剂CL－819可以明显改善皮革的柔软性、丰满性、匀染性好。     

增益钳制半导体光放大器波长转换的研究

数值模拟了增益钳制SOA(GC-SOA)的波长转换过程,分析了GC-SOA实现波长转换的原理.首次发现了GC-SOA波长转换中类似接通延迟的现象,这种现象将限制GC-SOA在高速波长转换中的应用.