含C源AlN陶瓷基片烧结工艺研究

采用石墨发热体高温炉,对流延工艺成型的AlN陶瓷基片进行了几种烧结温度、时间的实验,并与金属发热体常压高温烧结炉烧制的AlN陶瓷基片进行了体积密度、硬度、气孔率、表面形貌和晶体结构的对比。实验表明,石墨发热体高温条件下形成的C源,对AlN陶瓷基片烧结影响不大;高温烧结条件下助剂的烧结作用明显,会提升助剂晶相的含量;可以选择性引导AlN晶面的生长;保持低温烧结条件,有利于保持AlN晶相结构。     

高强汽车用钢的研究现状及发展趋势

汽车产业的发展趋势是节能、降耗、环保和安全,使用高强度汽车用钢可以有效地达到这一目标。介绍了几种高强度钢,如高强度IF钢、DP双相钢、TRIP钢、BH钢、CP复相钢、马氏体钢、TWIP钢、QP钢等的原理、性能以及开发现状。阐述了第三代高强度汽车用钢的发展趋势。     

添加氧化铝烧结助剂的碳化硼陶瓷无压烧结工艺研究

采用无压烧结工艺,通过添加质量分数为5%的氧化铝烧结助剂,制备得到了碳化硼陶瓷,其中烧结温度从2000℃到2250℃,保温时间为1、2和3 h。对烧结试样进行了体积密度、显气孔率、维氏硬度、显微形貌和晶体结构测试,并与2250℃下烧结得到的不添加烧结助剂碳化硼试样进行了比较。实验结果表明:由于烧结助剂与碳化硼在扩散运动中的相互作用,导致添加氧化铝助剂无压烧结碳化硼晶粒的形态变化具有温度选择性;氧化铝助剂所体现的液相扩散作用和钉扎作用,既可阻碍碳化硼晶粒长大,又可大幅度降低碳化硼的气孔率;通过烧结工艺控制氧化铝助剂成分在晶粒烧结体中的比例,可以将氧化铝成分完全包裹在碳化硼晶粒内部,有利于碳化硼烧结中的晶粒控制和空隙调整,从而避免助剂成分对烧结碳化硼可能造成的不利影响。     

柠檬酸对钡铁氧体晶相变化的影响

采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备超细晶粒钡铁氧体,选择柠檬酸与金属硝酸盐摩尔比(CA/MN)分别为1,1.2,1.4和2制得一系列钡铁氧体磁性粉末,通过热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)检测手段对产品的物相组分及显微结构进行了表征。结果表明,CA/MN在钡铁氧体晶相变化过程中起关键性作用,在430℃预烧、1280℃煅烧、同时保温2~5h的热处理条件下,随CA/MN增大,钡铁氧体的晶相由W相转变为M相,转变点在CA/MN=1.3左右。产生该现象的主要原因是,随着柠檬酸量的增加,自蔓延燃烧产物团聚程度增大,进而促使γ-Fe2O3向α-Fe2O3发生转化,导致W型铁氧体成相温度升高,在相同煅烧条件下,引起钡铁氧体晶相的转变。     

电子指数小幅上涨 后市有望继续冲高——2012年10月华强北电子市场价格指数分析

一、10月电子市场价格指数行情概述华强北电子市场总体价格水平延续上涨态势,2012年10月,华强北电子市场价格指数月均值为95.81点,环比上涨0.45点,涨幅0.47%,为连续第3个月回升;同比下跌1.19点,跌幅1.23%,较9月份减少1.42个百分点。同比和环比数据均比较乐观,表明电子产业正处于复苏格局中。综合指数旗下的四板块中电子元器件和手机     

新型高性能镍基粉末高温合金拉伸变形行为和机制研究

采用SEM和TEM研究了室温(23℃)和中温(650、750、815℃)下第3代镍基粉末高温合金(FGH98)拉伸变形显微组织、行为和机制。结果表明:含有多模尺寸分布γ′相的合金具有优良的拉伸性能,室温拉伸主要变形机制为位错剪切γ′相形成层错,并在γ′相周围形成位错环,阻碍后续位错运动。中温拉伸变形机制为位错剪切γ′相形成层错和形变孪晶,随着变形温度的升高,形变孪晶增多。给出了a/3112不全位错剪切γ′相形成层错和形变孪晶共存的模型,随着应变量的增加,在连续相邻的{111}滑移面上层错堆积变多,促进连续孪晶的形成,协调了γ和γ′相两相之间的变形,有助于释放两相之间的变形应力和提高合金强韧性。     

PMMA-b-PHEMA/纳米SiO2复合材料的制备与性能

采用分步法合成了聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚甲基丙烯酸羟乙酯(PMMA-b-PHEMA)嵌段共聚物。采用硅烷偶联剂KH-570对纳米二氧化硅进行表面改性,然后在四氢呋喃(THF)中制备出(PMMA-b-PHEMA)/纳米SiO2复合材料。通过红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1H-NMR)、扫描电镜(SEM)分析了复合材料的组成与结构,通过热重分析(TGA)、差热分析法(DTA)研究了SiO2质量分数对复合材料热性能的影响。结果表明,所制备的(PMMA-b-PHEMA)/纳米SiO2复合材料中嵌段共聚物与无机纳米SiO2相容性良好,复合材料的热稳定性优于嵌段共聚物PMMA-b-PHEMA。     

直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜

采用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控。间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行。采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较。结果表明,当单个生长周期为30 min(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10 min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜。     

工艺参数对磁控溅射TiN膜结构的影响

为研究工艺参数在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变工艺参数使用直流磁控溅射设备在N_2流量5 sccm,N_2压强为5 Pa生长TiN薄膜。采用射频磁控溅射法在N_2流量5 sccm、N_2压强5 Pa等生长参数下,制备了TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米级TiN薄膜的基本特征。实验表明,气氛中过多Ti原子的存在,影响了Ti原子和N原子的结合,也不利于TiN薄膜的生长。     

移动监测车电磁兼容解决方案研究

无线电监测车的主要用途是接收空间电磁信号,并对其参数或来波方向进行测量。如果车辆本身或是车内设备发出的干扰信号被车载天线接收到,就会影响监测系统的性能指标,严重时会导致系统无法正常工作。所以电磁兼容设计对无线电监测车而言,尤为重要。本研究主要对无线电监测车的电磁兼容来源及影响进行评估,并通过合理措施加以解决。最后,对改装完成后的无线电监测车进行整车电磁兼容测试,验证其是否符合前期设计要求。