光电系统对空目标探测距离评估方法研究

为估算光电系统的目标探测距离,研究了目标的红外辐射特性和在实验室内对系统灵敏度进行测试的方法。在系统设计阶段,可以利用系统设计参数估算光电系统目标探测距离;在系统样机研制完成后,可以利用系统灵敏度测试,对光电系统目标探测距离进行估算。经实际系统试飞试验表明目标探测距离评估方法是可行的。     

逆冲断褶带大断层下盘层间褶皱特征及油气成藏——以库车克拉苏构造带和龙门山构造带北段油气勘探为例

层间褶皱是指在两套塑性地层之间的脆性地层,在强大挤压力作用下,脆性地层发生连续褶曲,并伴有断层发生.层间褶皱形成机理与压扁作用、剪切作用及重力作用三种构造运动模式有关.库车克拉苏构造带陆相白垩系砂岩气田群和龙门山构造带北段海相栖霞组白云岩大气区石油地质特征有所差异,但构造圈闭特征具有共性,都属于逆冲大断层下盘层间褶皱....     

软件项目管理课程教学与考核改革研究

基于《软件项目管理》课程特点与教学中存在的问题,结合新工科背景下人才培养的要求,本文在教学方面提出了以知识传递与内化为目标的教学方式,在考核方面建立了多元化过程化的考核模式.新的教学与考核方式,不仅体现了以学生为中心的教学理念,激发了学生学习积极性,而且照顾了学生能力的多样性.     

超高层商住楼铝木结合模板施工技术研究

本文针对铝木结合模板的施工应用进行研究,结合超高层商住楼工程案例,从铝木结合模板的技术优势和选型、铝木结合模板的施工技术、铝木结合模板的施工效益3个方面进行分析。实践表明,铝木结合模板具有多种技术优势,将其运用在超高层商住楼的施工中具有良好的质量效益、工期效益和经济效益,可在类似工程项目中推广。     

安塞油田坪北区补充井网高效开发潜力的认识

根据当前安塞油田坪北区注水开发的经验及存在的问题,通过数值模拟对进一步加密调整的可行性进行了分析论证后,认为,目前的注采井距过大,油田有进一步加密调整的可能。     

准噶尔盆地西北缘五、八区二叠系上乌尔禾组储层成岩作用和成岩相研究

通过现场岩心观察,结合岩石薄片、铸体薄片、扫描电镜、阴极发光等微观图像资料,对准噶尔盆地西北缘五八区二叠系上乌尔禾组储层岩石学特征及微观特征进行了系统的研究,深入剖析了区内主要的成岩作用类型、成岩阶段、成岩序列以及成岩作用对储集物性的影响。结果表明,上乌尔禾组储层主要成岩作用类型有压实作用、成岩收缩、胶结作用、交代作用和溶解作用,处于中成岩阶段B期;可划分出4类成岩相,即砾缘缝-浊沸石溶蚀相、伊利石胶结相、方解石胶结相、石膏-高岭石胶结相。     

空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展

文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先,介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况,包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷;然后,评述了目前在空间使用的紫外探测器状况,以及在未来的空间应用中极具发展潜力的AlGaN紫外探测器;最后,对AlGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。     

InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件.焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装.光敏芯片在Inp/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合.焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装.介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础.     

InGaAs探测器片上集成滤光膜的微结构与性能

为了适应未来红外焦平面探测器系统小型化、集成化和高精度的发展要求,采用了热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心波长为1.38μm滤光膜的片上集成。利用偏光显微镜、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)以及红外傅里叶光谱(FTIR)等实验手段研究了滤光膜的表面界面形貌和光学性能,结果显示,滤光膜为法布里-珀罗三谐振腔结构,与膜系设计一致;滤光膜中心波长为1.38μm,透射率在60%左右。对集成滤光膜InGaAs器件的电学和光学性能测试分析表明,滤光膜制备工艺对器件的电流电压特性和噪声基本没有影响;而集成滤光膜器件的响应要优于滤光膜分离器件的性能。     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.