多功能半导体激光医疗仪电源的研制

根据“多功能半导体激光医疗仪”整机的要求,采用同一电源对667nm和808nm半导体激光器实施供电。为避免电源在开、关机时对半导体激光管产生浪涌冲击,电源在设计中采用了适当的逻辑功能。并可保证对667nm激光器供电时,即使打开808nm激光器供电开关,也不对808nm半导体激光器供电,反之亦然。电源设有手动、计算机两种控制方法,及恒定功率、电流两种工作方式。     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

MECHANISM OF SOUND GENERATION BY FLOW OVER TWO CAVITIES IN TWO DIMENSIONS

1 .　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＷｈｅｎｈｉｇｈ ｓｐｅｅｄａｉｒｆｌｏｗｏｒｃｕｒｒｅｎｔｐａｓｓｅｓｏｖｅｒｇａｐｓｏｒｃａｖｉｔｉｅｓｉｎａｆｌａｔｐｌａｔｅ ,ｓｅｌｆ ｅｘｃｉｔｅｄｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎｓｍａｙｏｃｃｕｒ ,ｌｅａｄｉｎｇｔｏｄｒａｍａｔｉｃｐｒｅｓｓｕｒｅａｎｄｖｅｌｏｃｉｔｙｆｌｕｃｔｕａｔｉｏｎａｎｄｉｎｔｅｎｓｉｖｅｎｏｉｓｅ .Ｔｈｅｓｅｐｈｅｎｏｍｅｎａｍａｙａｐｐｅａｒｉｎｍａｎｙｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ .Ｆｏｒｅｘａｍｐｌｅ ,ｗｅａｐｏｎｂ…     

碳酸二甲酯的市场需求和生产技术进展

介绍了碳酸二甲酯的价格、生产情况及国内外市场需求 ,指出碳酸二甲酯在我国具有极大的市场潜力。综述了生产碳酸二甲酯的三类主要方法 ,介绍了光气法、酯交换法和氧化羰基化法的各种具体方法及尚未实现工业化仍在研究中的其他方法。并对各种工业化的生产方法从技术、经济和清洁性的角度进行了分析 ,指出适合我国采用的工业合成方法是气相氧化羰基化法和甲醇与 CO2 直接合成法     

注硼中子寿命测井注硼工艺优化设计

注硼中子寿命测井是一项水淹层测井新技术 ,对老油田的产层分析评价、剩余油含量估算等方面发挥了重要的作用。但测井施工时 ,往往由于注硼工艺不当导致硼酸的渗吸量难以准确反映地层可动水的含量 ,从而产生解释上的困难和误区。在渗流与扩散理论相结合的基础上 ,结合华北油田的施工实践 ,介绍了确定注硼管柱、硼酸用量、注硼压力以及硼酸扩散时间的基本原则和实际经验 ,为工艺的优化设计提供了一些方法与思路     

大型水平输气管线优化设计新方法

提出了含进分气点的水平输气管线优化设计新方法，该方法对于传统的优化思想进行了改进，概念清晰，方法简便，同时，将遗传算法引入输气管线的优化设计中，与常规的优化方法相比，具有明显的优越性。     

制备方法对复合触头材料导电特性的影响

根据复合材料制备方法的各自特点 ,建立了计算复合触头材料电导率的三维单元网络模型。应用该模型研究了制备方法对材料电导率的影响 ,并与测量值进行了比较。结果表明了这种模型的可行性。     

用于铁谱分析磁化液使用规范的研究

本文简述了铁谱分析技术和磁化液的基本原理。在大量试验的基础上，建立了用于铁谱分析技术磁化液的使用规范。     

CHARACTERIZATION OF Si_(1-x-y)Ge_xC_y FILMS GROWN BY ION IMPLANTATION AND SUBSEQUENT SOLID PHASE EPITAXY

Si1-x-yGexCy ternary alloy films were grown on monocrystalline silicon substrates by C ion implantation and subsequent solid phase epitaxy (SPE). Two-step anneal-ing technique was employed in the SPE. The structure and electrical properties of the alloy films were determined using Fourier transform infrared spectroscopy and van der Pauw Hall measurements, respectively. With the optimization of two-step anneal-ing technique for the implanted Si1-x-yGexCy layers, a certain amount of C atoms occupied substitutional sites and no SiC was formed.