液晶显示驱动电路中Fibonacci型电荷泵单元

本文中所设计的电荷泵将用于手机液晶显示驱动模块中.通过对Fibonacci型电荷泵上升时间的估算,对减小上升时间和动态功耗进行折中考虑,本文提出优化开关频率的方法.用1.2μm CMOS双阱工艺参数对所设计的电荷泵进行模拟,结果表明这个电荷泵具有较快的上升速度和较高的效率.通过提高V_GS电平和保证开关管的衬底始终接在最高电位上,文中提出了一种新型Fibonacci电荷泵,它可以正常工作在从1.2V到5V变化的多种电源电压下.     

移动通信系统中有效的身份认证方案和支付协议

文中给出了一个基于公钥密码的有效的身份认证和密钥交换协议，该协议可以实现通信双方的相互认证，产生的会话密钥对通信双方是公正的，且会话密钥的产生不需要其他第三方的参与，协议的结构简单，执行效率高：在此协议基础上设计了一个适用于移动通信系统的小额支付协议。     

内循环好氧三相流化床处理造纸中段废水

本实验采用内循环好氧三相流化床处造纸中段废水，经过一段时间的驯化，获得了稳定的出水。CDO去除经保持在65％以上，系统对进水污染负荷的变化具有较大的承受能力。出水Cl^-的浓度有所增加，说明驯化后的微生物可能对有抽氯化物具有一定的降解作用。水气比在1／120至1／140之间可获得最好的COD去除效果。后进行絮凝处理后，出水COD降为60－80mg/L,BODo 50-60/L，色度为100－150CU，挥发性酚的质量浓度小于0．0265mg／L。     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。     

分析矩形光波导损耗的简易方法

利用有效折射率和修正的有效折射率方法对矩形光波导的损耗作了简单有效的分析，并且计算出了纵向传播系数和衰减系数的大小。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

一种支持QoS的拓扑自适应动态组播路由算法

YAM、QoSMIC、DSDMR等一类支持QoS的动态组播路由算法允许组播成员动态地加入和离开，同时为接收方提供多个可选择的组播接入路径，以满足不同应用的QoS需求。但这些算法普遍存在控制信令开销大和结点加入时延长，可扩展性不好等问题。本文在分析这些算法的基础上，提出改进的支持QoS的动态组播路由算法，即拓扑自适应动态组播路由（Topology Adaptive Dynamic Multicast Routing，TADMR）算法。该算法避免了以往算法中大部分盲目的路径搜索，并使结点加入时延不再受限于固定的等待时钟，而与网络拓扑相自适应。性能分析和仿真结果表明，该算法具有较低的控制信令开销和结点加入时延，适用于各种网络规模和群组规模，具有良好的可扩展性。     

基于IP核复用技术的SoC设计

概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,指出我国急需发展的关键芯片及IP核种类.     

喷射轧制Fe-4.5%Si硅钢片的组织和性能

采用喷射成形和轧制工艺制备了厚度为0.5mm的Fe-4.5%Si高硅钢片，并对其密度、显微组织和电磁性能进行了测试分析，研究结果表明：在最佳的喷射成形和轧制工艺条件下，所制备硅钢片的磁感应强度B25为1.544T、B50为1.641T；铁损P1050为1.437W/kg、P1550为3.43W/kg，说明喷射成形轧制技术可以制备出高磁感应强度、低铁损的高硅钢片。