Mn、Co掺杂SiC薄膜结构与光致发光性能研究

采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究.结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si-C键振动减弱,Si-O基团的振动增强.样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度.     

《精细化工工艺》课程教学改革的研究

文章论述了合理组织教材以突出教材的重点,凸显知识体系的规律性;精讲教材内容,使学生抓住精细化工的实质;课堂教学与实验内容相结合以增强学生对精细化工理论和实验的理解;把科研内容引入教学中以激起学生的学习兴趣及对科学知识探求的热情;充分利用外部教学条件,把教学与精细化工生产实际结合起来,以培养学生的实际技能等方面的内容。     

Hematopoietic–Mesenchymal Signals Regulate the Properties of Mesenchymal Stem Cells

It is well known that the properties of hematopoietic stem/progenitor cells (HSCs), such as their self-renewal ability and multipotency, are maintained through interactions with mesenchymal stem/stromal cells (MSCs). MSCs are rare cells that are present in the bone marrow and are useful for clinical applications due to their functional ability. To obtain the necessary number of cells, MSCs must be cultured to expand, but this causes a remarkable decrease in stem cell properties, such as multipotency and proliferation ability. In this study, we show that the c-Mpl signal, which is related to the maintenance of hematopoietic stem cells, has an important effect on the proliferation and differentiation ability of MSCs. Utilizing a co-culture system comprising MSCs and HSCs, it is suggested that signaling from hematopoietic cells to MSCs supports cell proliferation. Interestingly, the enhanced proliferation ability of the HSCs was decreased in c-Mpl knock-out HSCs (c-Mpl-KO). In addition, the MSCs co-cultured with c-Mpl-KO HSCs had reduced MSC marker expression (PDGFRa and Sca-1) compared to the MSCs co-cultured with c-Mpl-wild-type HSCs. These results suggest that a hematopoietic–mesenchymal signal exists, and that the state of the HSCs is important for the stability of MSC properties.     

扫描电镜法研究硅胶填料的孔结构

硅胶作为色谱分离科学中最常使用的柱填料,其孔结构对色谱的分离性能起决定作用,所以研究填料的孔结构具有重要意义.本文通过对硅胶填料进行包埋切片,然后用扫描电镜观察其孔结构,并将此法与BET法、压汞法等传统方法测得的结果进行了比较,结果表明:此法是这些检测手段的必要补充,并且能为色谱工作者研究填料的孔结构提供更加准确、形象、直观的结构信息.     

2mm HM连接器短路失效分析

通过对2mm HM连接器发生安装短路失效分析发现:连接器端子间多余物是引起该短路故障的主要原因。该多余物为连接器端子冲压时因冲裁不彻底而残留的金属屑。卡在连接器端子与塑胶壳体间的金属屑,在PCBA组装压接过程中,刺破PCB阻焊膜,与顶层铜箔相连,造成短路失效。只有严格控制连接器生产工艺,加强质量检验,才能避免连接器安装短路故障的发生。     

法国电信IPTV的实践及其对中国数字电视发展的借鉴意义

“MaLigne TV”是法国电信IPTV部署的一个实例．通过为用户提供丰富的节目内容和完善的服务，“MaLigne TV”获得了巨大的成功。以此为基础，结合实际环境．讨论了在中国部署IPTV面临的问题和可能的解决思路。     

分子束外延碲镉汞探测器的变结面积I-V测试研究

碲镉汞红外探测器的表面钝化处理对器件暗电流有较大影响,决定了器件的探测性能。为了研究表面钝化层不同生长方式对暗电流的抑制效果,使用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统在Si基衬底上生长碲镉汞材料,分别通过磁控溅射和原位钝化方法生长CdTe/ZnS钝化膜层。采用半导体工艺在碲镉汞材料上制备了变面积光伏探测器。通过测试不同钝化膜层器件的暗电流,分析零偏电阻和面积乘积(R₀A)与周长面积之比(p/A)的关系。结果表明,磁控溅射生长钝化层的Si基碲镉汞器件存在较大的隧穿电流,而原位钝化生长钝化层的Si基碲镉汞器件能更有效地抑制表面漏电流。拟合器件R₀A因子随PN结面积的变化,得出原位生长钝化层的器件具有更好的钝化效果。变面积器件的制备和测试能够有效且直观地反映器件性能。     

粮油中转储备库的加固改造设计

介绍了加固方案的选择、相关构件强度的计算、接点构造的处理等主要加固步骤。实践证明,此方案较经济、合理,且能最大程度地减少施工工作量。