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岩石物理横波速度曲线计算技术 总被引:15,自引:3,他引:12
横波速度是地震勘探中的重要参数。针对实际生产中缺乏横波速度测井曲线资料,利用经验公式计算精确度不高的问题,通过对横波速度计算理论模型的研究分析,选择Blot-Gassman模型法,利用岩石矿物成分、流体成分、孔隙度及密度等测井曲线进行横波速度测井曲线的计算,并对横波速度计算技术和流程进行研究。在实际工区进行了横波速度曲线计算,计算结果与实测横波吻合程度较高,误差小于10%,该技术在储层和流体识别预测的应用中取得了较好效果。 相似文献
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Polyaryloxydiphenylsilanes were prepared from phosphorus‐containing diols and diphenydichlorolsilane through solution polymerization. With a stoichiometric imbalance in feed monomers, the resulting polymers exhibited moderate melting points and good processing properties. The polymers prepared showed initial decomposition temperatures above 340 °C, excellent thermal stability, high char yields at 850 °C and very high limited oxygen index values of 56–59. The polymers' char yields and their (P + Si) contents showed linear relationships. © 2003 Society of Chemical Industry 相似文献
105.
玻璃行业的固定资产一般数额较大,使用寿命较长。根据会计“持续经营”这一假设,固定资产不需要在短期内变现,是以历史成本为计价基础的。一般情况下其帐面价值不考虑市价变动影响。事实 相似文献
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我们在上网时,经常遇到恶意攻击,如IE浏览器被修改、注册表被锁定等,本文主要介绍了遇到这些情况时,将其解决的几种方法. 相似文献
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Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献