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低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引:1,自引:1,他引:0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
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气动贯通式潜孔锤反循环连续取心取样钻进新技术在河南钼矿中应用 总被引:4,自引:0,他引:4
三道庄钼矿勘探生产中钻遇的地层非常复杂,采用其他方法均无法实现钻进,经过分析比较,决定采用贯通式潜孔锤反循环连续取心(样)钻进新技术来解决该地层钻进难、成孔难、取样难等三大问题。文章从钻进技术特点、工作原理等方面对该技术进行详细分析,得出其具有钻进效率高、岩心(样)采取率高、成孔质量好等突出优点。并介绍了钻进主要设备机具的配套、施工工序、操作要点、遇到问题的解决方法等。在河南钼矿露天采石场应用该项技术,有效避免了塌孔和卡钻事故,工程进展顺利、质量好、岩心(样)采取率在98%以上,取得了良好的效果。针对在生产试验中遇到的某些问题,作者提出了一些改进建议。 相似文献
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文中针对引黄北干1号隧洞工程的施工方案,提出了常规钻爆法和TBM施工,并对这两种施工方案进行了比选,最终确定采用TBM施工方案。 相似文献
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文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善,同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库,构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程,形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台,用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片,获得了一次投片成功。 相似文献
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新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 总被引:5,自引:2,他引:3
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 相似文献
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Chun-Tsen Lu Kun-Wei Lin Huey-Ing Chen Hung-Ming Chuang Chun-Yuan Chen Wen-Chau Liu 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(6):390-392
A new and interesting Pd-oxide-Al/sub 0.3/Ga/sub 0.7/As MOS hydrogen sensor has been fabricated and studied. The steady-state and transient responses with different hydrogen concentrations has been measured at various temperatures. Based on the large Schottky barrier height and presence of oxide layer, the studied device exhibits a high hydrogen detection sensitivity and wide temperature operating regime. The studied device exhibits the low-leakage current and obvious current changes when exposed to hydrogen-contained gas. Even at room temperature, a very high hydrogen detection sensitivity of 155.9 is obtained when a 9090 ppm H/sub 2//air gas is introduced. Furthermore, when exposed to hydrogen-contained gas at 95/spl deg/C, both the forward and reverse currents are substantially increased with increased hydrogen concentration. In other words, the studied device can be used as a hydrogen sensor under the applied bidirectional bias. Under the applied voltage of 0.35 V and 9090 ppm H/sub 2//air hydrogen ambient, a fast adsorption response time about 10 s is found. The transient and steady-state characteristics of hydrogen adsorption are also investigated. 相似文献