环境影响及计算机设备可靠性

和所有设备一样，计算机设备也是在一定环境中工作的，各种环境因素无时不对设备产生影响。要使计算机设备在各种环境中保持良好的性能，必须了解各种环境对计算机设备影响的机理和过程，分析在环境因素中那些因素是影响计算机设备的主要因素及其力度、频率、周期等，以便采取措施保护计算机设备正常工作。简要介绍除温度外，各种环境因素对计算机设备的影响。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

一种900-MHz 20-mW CMOS功率放大器的设计

提出了一个工作电压为3V，工作频率900MHZ，输出功率为20mW的高效率CMOS功率放大器。为了达到设计目标，文章采用了一些特殊的方法，包括三级放大结构，级间的调谐匹配和层叠差分结构。     

用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究

采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330～ 80 0nm范围反射率只有 1 5～ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关     

基于IP核复用技术的SoC设计

概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,指出我国急需发展的关键芯片及IP核种类.     

N_2S_2或N_3S型配体的合成、~(99)Tc~m标记及生物分布研究

以MAG3为基本分子骨架，根据构效关系，分别引入合适的天然氨基酸，设计合成了4种N2S2或N3S型小分子多肽新配体，并通过了IR，^1H NMR,^13C NMR,MS谱学鉴定和元素分析表征。采用葡庚糖酸钙（GH）交换法对4个配体进行了^99Tc^m标记，研究了配合物在小鼠体内的生物分布特征。结果表明，^99Tc^m-MVGG肾摄取较高，滞留时间较长，血清除快，且肾与其它组织的活度比值高，具备成为肾功能显像剂的条件；^99Tc^m-MPGG肾初始摄取较高，R（肾／血）活度比值高，但肾清除较快，R（肾／肝）活度比值较低；^99Tc^m-MVTC和^99Tc^m－MPTC心肌初始摄取均较高，但在心肌和血中的清除速度较快。     

充气集合式高电压并联电容器的几点改进

BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。     

氯碱厂蒸发工艺能耗分析及节能技术改造

氯碱厂烧碱的蒸发是烧碱生产系统的一个重要环节 ,并且是一个能耗较多的生产过程。本文针对内蒙古某氯碱厂蒸发工艺能耗情况作了较详细的分析 ,并对烧碱蒸发工序进行了一系列节能技术改造 ,使烧碱蒸发能耗明显降低 ,企业经济效益亦明显增加。     

回转升降生物接触工艺的实验研究

提出了一种具有特殊运转方式的新型RBC系统－－回转升降生物接触工艺，对回转升降生物接触工艺的工作原理和工艺特征进行了论述。并通过动态实验，对回转升降生物接触工艺小型实验装置的性能和效果进行了初步考察。     

江口水电站设计洪水分析研究

在分析芙蓉江流暴雨的洪水特性的基础上，采用多种方法插补展延了洪水资源系列，并充分利用历史洪水调查资料，使设计洪水分析计算采用的资料具有一定的代表性，可靠性，其中坝堤百年一遇设计洪水洪峰流量为12000m^3/s,72h洪量为10.2亿m^3，对江口水电站设计洪水成果，通过与上下游，干支流各站的设计洪水参数及与长江流域的部分大中型水利水电工程设计水成果比较，进行了合理性分析。