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151.
Chen Y.-K. Temkin H. Tanbun-Ek T. Logan R.A. Nottenburg R.N. 《Electron Device Letters, IEEE》1989,10(4):162-164
Buried p-buffer double heterostructure modulation-doped field-effect transistors (BP DH-MODFETs) with an InGaAs quantum-well channel were fabricated with high transconductance and good breakdown voltage, by placing the metal gate directly on Fe-doped InP insulating layer. Excellent extrinsic DC transconductance of 560 mS/mm and a high gate-to-drain diode breakdown voltage (greater than 20 V) were achieved at room temperature with FETs of 1.2-μm gate length. Unity currently gain cutoff frequency f T of 24 GHz and maximum oscillation frequency f max of 60 GHz were demonstrated for a drain to source voltage V DS=4 V, which corresponds to an average electron velocity of 2.2×107 cm/s in the quantum well 相似文献
152.
153.
ChenJianrong PengJianqin 《中国油气》2002,9(1):34-36
China has formulated a series of preferential taxation policies for the country 's petroleum enterprises. Those state policies are the important factors influencing reform and development of petroleum enterprises. The taxes turned over to the State by CNPC in 1998, 1999 and 2000 are 31.4 billion yuan, 31.7 billion yuan and 41 billion yuan respectively, accounting for 11.64 percent, 9.06 percent and 10.15 percent of the annual sales income.With China 's entry into WTO, it is necessary for t… 相似文献
154.
155.
New insights into the noise reduction Wiener filter 总被引:3,自引:0,他引:3
156.
157.
158.
两种具有电双稳态的全有机络合物 总被引:9,自引:0,他引:9
首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机(有机-有机)络合物,分别称为MCA+TCNQ和BBDN+TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜,在数伏电压的作用下,从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns,因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平,可望在1.6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。 相似文献
159.
研究了温度及气体压力对漂移室(工作于正比区)气体放大倍数的影响,温度和气体压力的变化范围分别是5 ̄40℃及90 ̄105kPa。用实验数据拟合得到了函数关系并测量了几种饱和度下函数中的参数值。 相似文献
160.
新型高性能脉冲峰值保持电路 总被引:10,自引:7,他引:3
本文介绍了两种新型跨导型脉冲峰值保持器,分别用于多丝正比室(MWPC)和复合晶体闪烁探测器(Phoswich)输出脉冲信号的形状和幅度分析。电路的跨导放大级采用跨导型集成运算放大器,使电路结构简单化,且性能优良可靠,能响应输入脉冲最小上升时间分别为50ns(Phoswich)和500ns(MWPC)的信号,在40dB的动态范围内,两电路的积分非线性均好于0.1%,特别适用于空间γ射线观测。 相似文献