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A jet-printed digital-lithographic method, in place of conventional photolithography, was used to fabricate 64 /spl times/ 64 pixel (300 /spl mu/m pitch) matrix addressing thin-film transistor (TFT) arrays. The average hydrogenated amorphous silicon TFT device within an array had a threshold voltage of /spl sim/3.5 V, carrier mobility of 0.7 cm/sup 2//V/spl middot/s, subthreshold slope of 0.76 V/decade, and an on/off ratio of 10/sup 8/. 相似文献
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Wang Tian-kui Lu Fang Fan Xiao-bing Shi Xiao-jun China Ship Scientific Research Center Wuxi China 《水动力学研究与进展(B辑)》2003,15(4)
1 . INTRODUCTIONIntherecentdecades ,itisrealizedthatitisquitenecessarytocarryouttestsathighReynoldsnumberwithalowbackgroundnoiselevelinordertomeetmoreandmoreurgentneedsofmodernnavyandmaritimeindustry .Anewlargecavita tionchannelisdevelopedinCSSRCfortestingcompletehull/ propulsor/appendagesarrange ments[1] .Itrepresentsoneofthelatestintechno logicallyadvancedlargecavitationtestfacilities.Inthefollowingsections ,thefeaturesandthefirsttestresultsofthechannelwillbedescribed .2 . DICRIP… 相似文献
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4G mobile communications: toward open wireless architecture 总被引:2,自引:0,他引:2
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Zhen-Qiu Lu Yan-Yun Zhang 《IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control》1996,43(2):296-302
Reconstruction algorithms and their numerical examples of acoustical tomography based on the second-order Born transform perturbation approximation are presented. The reconstruction algorithms in the second-order Born approximation are similar in form to those in the first-order Born approximation. Replacing the angular spectrum of the scattered wave in the first-order case by the result of applying a first-order operator to the angular spectrum of the scattered wave or applying a second-order operator to the angular spectrum of the incident wave leads to the second-order reconstruction algorithms. Also, comparisons of reconstruction algorithms of the first- and second-order Born approximations are given, and they show that the second-order Born approximation algorithms have a distinct advantage over the first-order approximations in many cases 相似文献
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本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。 相似文献