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151.
采用DOE方法优化无铅波峰焊接工艺   总被引:1,自引:0,他引:1  
无铅波峰焊接工艺相比有铅波峰焊接工艺显得复杂和难以控制。通过采用DOE和波峰焊工艺分析相结合的方法,设计无铅波峰焊工艺,大大降低了缺陷率,提高了无铅波峰焊接质量,在生产实践中具有很大的指导意义。  相似文献   
152.
针对定位跟踪时不同环境的复杂光照变化特点,提出了一种自适应阈值的ORB(Oriented FAST and Rotated BRIEF)特征点提取方法.该方法首先通过自动计算图像块周围的特征点自适应提取阈值,利用该阈值实现图像特征点提取,接着采用水平双目模型进行特征点跟踪.利用数据集在不同环境场景中与不同方法进行对比实...  相似文献   
153.
针对传统LMMSE算法需要知道信道特性的问题,提出了一种加权系数平均法改进的小波域LMMSE信道估计算法.运用离散小波变换对LS初始估计和预滤波处理后的信号实行阈值量化去噪处理,然后结合时域信道能量分布的稀疏性特征,利用加权系数平均法求出各子载波的频域响应,从而克服了传统LMMSE算法需要预先知晓信道统计特性的缺陷.对算法的BER和MSE性能进行实验仿真,结果表明:文中所提改进算法的信道估计整体性能显然会更优于LS、SVD-LMMSE以及加权平均改进后的LMMSE算法.另外,在信噪比较低且信道统计特性未可知的状况下,文中算法要优于传统的LMMSE算法,并能够较好地降低噪声的影响,有效提升信道估计的精确度.  相似文献   
154.
为了提高Ka频段功率放大器的输出功率,设计了一种新型的毫米波波导内空间功率合成放大器.采用魔T功率合成器和波导-微带双探针转换实现的波导内空间功率分配/合成网络,在毫米波频段实现了宽带、低损耗、幅相对称的四路功率合成放大器.该毫米波功率合成放大器的合成效率,在25~29 GHz高于82%,在25~28 GHz高于86%.  相似文献   
155.
提出一种利用非标准的扬声器布置重发双通路立体声的方法。理论和实验结果表明,通过虚拟声信号处理的方法,可在一定程度上改善扬声器的非标准布置所引起的声像位置畸变。  相似文献   
156.
修正离散Chirp-Fourier变换及其在SAR 运动目标检测中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
离散Chirp-Fourier变换(DCFT)是最新提出的一种检测线性调频信号的有力技术,但它对信号的采样点数和信号参数有着近乎苛刻的约束条件,限制了它的工程应用.本文对DCFT的定义进行了修正,它不附带任何约束条件,是一种优越而又实用的线性调频信号检测技术.本文将其用于机载合成孔径雷达(SAR)运动目标检测当中,取得了良好的效果.此外,本文又提出了基于CLEAN思想的检测技术,与修正DCFT相结合,可以有效地检测出被强目标掩盖的弱目标,具有很大的实用价值.仿真的结果验证了算法的有效性.  相似文献   
157.
刘源  覃征  谢维信 《电子学报》2003,31(4):510-513
本文针对移动CDMA加性白高斯噪声和衰落信道 ,提出了一种自适应分布式多用户检测算法 .它由空间分集和解相关检测复合组成 .解相关检测器的性能近似最佳多用户检测器 ,且不依赖于其它用户的信号能量及衰落特性 .基于随机梯度技术的盲自适应分集合并方案由最佳似然比检验准则构成 .对其性能做了理论分析和数值估计 ,并与传统的选择法、等增益法及最大比值法做了比较 .所提出的方法易于实时实现 ,可以较大地提高接收机性能和系统容量增益  相似文献   
158.
基于系统调用特征的入侵检测研究   总被引:11,自引:1,他引:11  
姚立红  訾小超  黄皓  茅兵  谢立 《电子学报》2003,31(8):1134-1137
对网络服务程序进行攻击是非法用户入侵系统的主要途径 ,针对关键程序的入侵检测近年来受到重视 .该文提出的CTBIDS检测模型在利用系统调用特征树描述程序行为特征的基础上 ,通过异常有限积累判别程序入侵 ,既能体现异常状况的长期积累 ,也能很好地反映入侵的异常局部性原理 .此外 ,该文通过统计分析方法确定入侵判别参数 ,使得入侵判别更加准确 .测试及试用结果表明CTBIDS能有效检测出针对关键程序的攻击  相似文献   
159.
利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3.45nm的Al2O3栅介质MOS电容,研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征.击穿实验显示,样品的Al2O3栅介质的等效击穿场强大小为12.8MV/cm.在时变击穿的实验中,Al2O3栅介质表现出类似于SiO2的软击穿现象.不同栅压应力作用的测试结果表明,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素,其对应的介质击穿电荷QBD约为30~60C/cm^2.  相似文献   
160.
在晶体中进行大容量多重体存储 ,需要对晶体中记录数据进行修改 ,这就使得选择性擦除必不可少。介绍了铌酸锂晶体中实现选择性擦除的原理 ,着重介绍了在物光和参考光中引入π位相差的几种方法 ,通过引入π位相差来记录互补全息图 ,利用全息图及其他的互补全息图的非相干叠加来消除原全息图对晶体折射率的调制 ,从而实现对未定影全息图的选择性擦除。实现了在晶体中某一数据页面内部分数据的擦除 ,并从理论上对实验结果进行了分析。并给出了在某一数据页面内进行部分擦除的实验结果  相似文献   
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