某型岸用雷达可靠性鉴定试验

介绍了某型岸用雷达可靠性鉴定试验大纲和试验程序 ,对试验情况和处理方法作了阐述 ,并通过试验总结了经验教训     

分子束外延生长高应变单量子阱激光器

采用分子束外延方法研究了高应变 In Ga As/Ga As量子阱的生长技术 .将 In Ga As/Ga As量子阱的室温光致发光波长拓展至 116 0 nm,其光致发光峰半峰宽只有 2 2 me V.研制出 112 0 nm室温连续工作的 In Ga As/Ga As单量子阱激光器 .对于 10 0 μm条宽和 80 0 μm腔长的激光器 ,最大线性输出功率达到 2 0 0 m W,斜率效率达到 0 .84m W/m A,最低阈值电流密度为 45 0 A/cm2 ,特征温度达到 90 K.     

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度     

水下目标识别的特征融合分类器设计

本文对水下目标识别中的特征融合技术进行了研究,讨论了特征融合技术中的问题和解决途径,并给出了特征融合分类器的特性;设计了模糊融合分类器,给出了具体的算法.该分类器对样本在模式空间中的分布不做任何假定,注重类别间的相互约束,强调各个模式的独立作用,用类似于模糊并运算的方式综合这些作用.在实际应用中,通过与已有的分类器比较,表明模糊融合分类器能够综合多种信号特征,有效地提高了分类性能.     

提高并行交替式高速数字化系统分辨率的研究

本文是关于幅度非均匀取样信号理论及其应用的第二篇论文.本文首先分析了文献[1]中的偏置误差对输入信号频谱的影响,说明了提高幅度分辨率的基本原理,然后推导出了输入信号为正弦信号时附加信号的频谱表达式,提出了两种提高该系统的幅度分辨率的方法.最后进行了计算机仿真,给出了系统的有效位数和输入信号频率的关系曲线.     

基于子空间的阵元间互耦校正方法

本文基于子空间基本原理,提出了一种均匀线阵或均匀圆阵单元间互耦的校正方法.该方法的优点在于只需要一个辅助校正源,并且它的方向可以未知.计算机模拟结果证明了这种方法的正确性和有效性.     

因特网上视频多点传输算法研究

本文研究因特网上进行视频多点传输的问题.在分析了资源预约协议和智体反馈控制机制的基础上,基于分层编码技术提出一种新的视频传输算法.文中利用ns-2网络模拟器进行了性能评价,结果表明该算法在保证视频基本服务质量的条件下,具有较好的公平性和可扩放性.     

DNA计算在整数规划问题中的应用

基于生化反应原理的DNA计算由于在解决一类困难问题,特别是NP-完全问题上具有硅计算机无法比拟的优势,因此对DNA计算的研究具有重要意义。利用在基于表面的DNA计算中采用荧光标记的策略,提出了一种基于DNA计算的一类特殊整数规划问题最优解的求解算法,新算法利用荧光猝灭技术,通过观察DNA分子表面的荧光来排除非解。算法分析表明,新提出的基于DNA计算的求解算法具有编码简单和错误率低等特点。     

60Coγ射线辐射对姬松茸子实体中Er、Dy、Tb和P、K及微量元素含量的影响

通过不同剂量^60Coγ射线辐射姬松茸菌丝体产生子实体中稀土与P、K及微量元素含量的影响及其相关性的研究,结果表明,^60Coγ射线辐射姬松茸菌丝体对子实体中稀土和P、K及微量元素含量因辐照剂量而异,稀土(Er和Dy)含量随着辐照剂量升高而减少,而Tb含量随辐照剂量的增加先减少后又增加。P、Zn和Ca的含量随着辐照剂量的变化具有相似规律,而K、Cu和Cl含量随着剂量的变化规律相似,均随着辐照剂量增加而减少。相关分析表明,子实体中稀土和P、K及微量元素含量同辐照剂量存在不同程度的关系,且其稀土与P、K及微量元素间亦存在不同程度的关系,其中Er含量与辐照剂量间的相关性极为显著,Dy和Tb含量与Mo含量间的相关性亦分别达到显著和极显著水平。     

金属/陶瓷发热体钎焊接头的残余应力分析

采用热弹塑性有限元方法,在考虑了材料性能参数随温度变化情况下,分析了采用Ag—Cu—Ti钎料钎焊A12O3陶瓷与Ni金属丝的钎焊接头,在钎焊和随后再次加热过程中产生的应力大小和分布情况,计算中着重考虑了钎料对接头残余应力的影响。分析结果表明,在钎料与陶瓷的界面处存在着较大的残余拉应力,影响了钎焊接头的连接强度,并可能在界面的陶瓷侧产生裂纹。通过试验对比,认为在此类连接结构中,钎料是造成接头形成较大残余应力的主要因素。同时。选择合适厚度的钎料会降低钎焊接头的残余应力,改善接头连接强度。