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采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA. 相似文献
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目的:评价不同缩宫素剂量对超声消融子宫腺肌症的影响以及缩宫素在超声消融治疗过程中使用的安全性。方法:129例确诊的子宫腺肌症患者随机分为对照组、缩宫素0.32U/min组、缩宫素0.48U/min组进行超声消融治疗,比较各组间的消融效果及相关不良反应。结果缩宫素0.32U/min组和0.48U/min组分别与对照组相比,病灶体积消融率均明显高于对照组,消融单位体积所需时间和能效因子均明显小于对照组,差异有统计学意义。缩宫素0.32U/min组和0.48U/min组相比较,病灶体积消融率、消融单位体积所需时间和能效因子无显著性差异。三组均无严重不良反应。结论缩宫素能安全有效地降低超声消融子宫腺肌症所需的能量,提高治疗效率,但是增大剂量并不能提高超声消融的效益。 相似文献
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本文分析了目前移动基站建设存在的主要问题及其产生根源,提出规范移动通信基站建设,将其作为城市公用设施纳入城市规划的观点.并根据国家及政府有关部门的政策法规及国内先行城市的成功经验,结合本市的实际情况,对规范移动通信基站建设的本地立法工作提出了建议. 相似文献
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冗余轮廓波变换的构造及其在SAR图像降斑中的应用 总被引:8,自引:0,他引:8
构造了由非抽样塔式分解和方向滤波器组实现的冗余轮廓波变换。文中利用McClellan变换设计非抽样塔式分解中满足精确重构条件的圆对称滤波器组。利用冗余轮廓波变换系数的自适应局部统计模型及最大后验概率法对SAR图像进行降斑处理,并与基于平稳小波和轮廓波变换的降斑算法进行比较。结果表明,提出的算法能有效地去除散斑噪声,并且具有更强的边缘保持能力。 相似文献
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本文导出了弱电场则反射谱与电函数对能量的三级微商成正比。将MOCVD方法生长的GaInP以及掺Si和掺Zn3个样品,用椭圆偏振光谱法测量得到了可见光区的介电函数谱,并求其三级微商谱,把用一分析电反射谱的三点法推广到分析介电函数的三级微商谱,得到弱电场调制反射谱的实验结果,并与介电函数谱的结果加以比较,使灵敏度和分辨率有很大提高。 相似文献
107.
多功能光纤二次套塑线设计 总被引:1,自引:0,他引:1
在研制偏置牵引法控制光纤余长的基本型光纤二次套塑线的基础上,增添设备内容,扩展功能,设计出能满足多种产品科研实验及小批量生产需要的多功能光纤二次套塑生产线, 根据产品所需,将诸多设备内容方便灵活地组合成多种产品批量生产专用的二次套塑生产线。 相似文献
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