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71.
介绍了柳钢2800mm中板轧机液压自动厚度控制(HAGC0系统工艺参数与系统的结构、特点和功能。系统还包括平面形状控制、动态规程自动和控制轧制技术,构成一个较完善的控制系统。 相似文献
72.
林苗 《电气电子教学学报》2002,24(1):43-45
阐述了我校使用“面向21世纪”电工学课程系列教材的实践与探索过程,以及对我校电工学教学所产生的转折性影响和积极的导向作用,最后对教材提出了几点建议。 相似文献
73.
基于数字信号处理器的直流电机控制系统 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了定点数字信号处理器(DSP)TMS320F240的一般性能及其在永磁无刷直流电机控制上的应用,给出了硬件设计方案、软件策略及输出结果。 相似文献
74.
75.
76.
采用微软公司Microsoft Excel的规划求解功能,可以快速准确地进行玻璃料方的计算,从而大大提高工作效率.本文以平板玻璃料方为例,对玻璃料方的电子计算机计算原理作介绍,并对利用Excel电子表格的规划求解功能进行玻璃料方计算的过程进行介绍. 相似文献
77.
高压脉冲放电处理含氰废水的影响因素探讨 总被引:6,自引:0,他引:6
焦化废水中含有大量的氰化物,必须采取有效措施进行去除,传统去除方法运行成本高、操作复杂。提出了用高压毫微秒脉冲产生的非平衡等离子体处理含氰废水的方法,对其影响因素pH值、放电时间、气流量、放电条件等进行了大量的实验研究,结果表明:溶液初始pH值为9.09,放电2 h,放电电压46 kV时氰化物的去除率最高可达93.2%,氰化物质量浓度可降至0.26 mg/L。实验对比了放电与不放电氰化物的去除效果:相同条件下放电后氰化物的去除率大大提高,为焦化废水中氰化物的去除提出了一种新的方法。 相似文献
78.
Ying Ding Chunqing Wang Yanhong Tian Binbin Zhang 《Metallurgical and Materials Transactions A》2006,37(12):1017-1025
in-situ transmission electron microscopy (TEM) tensile tests on as-cast and aged 63Sn37Pb solder alloys were conducted, and the fracture
behavior in nanometer scale ahead of the crack tip was inspected and discussed. Results show that the fracture was completed
by connecting the discontinuous cracks or voids. Dislocation behavior was concentrated along the grain boundaries for as-cast
samples, and displayed mainly as dislocation climb. The crack was intergranular dominated under the lower strain rate. While
remarkable mutual dislocation emission was detected in the aged solder. Transgranular cracks were dominant in the fractured
area, and they propagated by linking up with the nanometer scale cracks ahead of the crack tips under the effective promotion
of the inverse dislocation emission. At the same time, the partial interphase or intergranular cracks in the thinned area
were also found. Under this condition, a new critical stress intensity factor K
c
′ to define the mutual dislocation emission was proposed. 相似文献
79.
压密注浆及其在地基加固中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
在简单介绍了压密注浆工法的加固机理、影响被加固土体强度的因素的基础上,结合工程实例介绍了压缩注浆工法的工程应用情况。 相似文献
80.
Tian Yang Lipson S. O'Brien J.D. Deppe D.G. 《Photonics Technology Letters, IEEE》2005,17(11):2244-2246
We report on the demonstration of optically pumped photonic crystal lasers with InAs quantum dot active regions operating at room temperature near 1310 nm. Absorbed threshold pump powers as low as 25 /spl mu/W are observed. We also extract a characteristic temperature of 17 K, which is attributed to limitations caused by surface recombination. 相似文献