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利用硫酸软骨素(chondroitin sulfate,CS)在云母基底上通过浇铸法制备的自组装膜为基底,诱导草酸钙在其上的凝集生长。发现当硫酸软骨素的浓度为1.Omg/ml时在该膜体系中可形成规整的周期性草酸钙环状沉淀。这种有序的环状结构可能是耗散结构的一种具体表现形式。利用原子力显微镜(atomic forcemicroscope,AFM)和傅立叶红外光谱仪对这种结构进行了表征,实验结果显示合适浓度下形成的CS膜在一定程度上可以抑制草酸钙的凝集结晶,表明高分子基质与无机离子间强烈的相互作用对无机盐的成核结晶有显著影响,为探讨结石的形成与抑制提供了一定的实验依据。 相似文献
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Σ-ΔA/D转换技术及仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
Σ-ΔA/D转换技术近年来颇受重视,因为基于该技术的A/D转换器能达到很高的分辨率(16bit以上),并另具一系列优点。本文对Σ-ΔA/D转换器的基本原理,包括过采样(Oversampling),噪声成形(NoiseShaping),以及数字抽取滤波(DigitalDecimationFiltering)等内容,均作了叙述。作者还对一个20bitΣ-Δ转换器的算法进行了计算机仿真。该转换器采用了高阶MASH噪声成形技术,而其数字抽取滤波部分则由梳状滤波器与级联的半带滤波器构成。文章中给出了仿真结果。 相似文献
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本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
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柔性桩沉降可靠性的简化分析公式 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出了结合分层的剪切位移法、摄动法和随机场理论来计算柔性桩沉降可靠度的简化方法,并用随机有限元和蒙特卡洛模拟法对此简化模型的精度进行了对比分析,分析结果表明该方法计算简便,精度较高。通过算例发现,在土的变形模量为小变异的情况下,其概率模型对桩的沉降可靠度影响不明显,因此其概率模型可近似采用正态分布;在土的变形模量为大变异的情况下,其概率模型对桩的沉降可靠度影响非常明显,在选择概率模型时要慎重。对于土的变形模量服从对数正态分布的情况,采用将其当量正态化后的中心点法即使在参数大变异的情况下也可以获得理想的计算精度。 相似文献
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J. Chen J. B. Xu K. Xue J. An N. Ke W. Cao H. B. Xia J. Shi D. C. Tian 《Microelectronics Reliability》2005,45(1):137-142
Transition-metal compound TiC60 thin films were grown by co-deposition from two separated sources of fullerene C60 powder and titanium. Study of structural properties of the films, by Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and scanning tunneling spectroscopy reveals that the films have a deformed C60 structure with certain amount of sp3 bonds and a rough surface with a large number of nanoclusters. z–V tunnelling spectroscopic measurements suggest that several charge transport mechanisms are involved in as the tip penetrates into the thin film. Conventional field electron emission (FEE) measurements show a high emission current density of 10 mA/cm2 and a low turn-on field less than 8 V/μm, with the field enhancement factors being 659 and 1947 for low-field region and high-field region, respectively. By exploiting STM tunneling spectroscopy, local FEE on nanometer scale has also been characterized in comparison with the conventional FEE. The respective field enhancement factors are estimated to be 99–355 for a gap varying from 36 to 6 nm. The enhanced FEE of TiC60 thin films can be ascribed to structural variation of C60 in the films and the electrical conducting paths formed by titanium nanocrystallites embedded in C60 matrix. 相似文献
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