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61.
图像过渡区算法及其改进 总被引:19,自引:2,他引:19
分析了原有图像过渡区确定方法中的缺陷及其产生的根源,根据过渡区内像素点具有的领域方向性,引入了基于一元线性回归处理的局部区域随机波动消除方法。对大量的实际图像的处理结果表明,这种方法将会大大提高过渡区判定过程的鲁棒性和定位精度。 相似文献
62.
适用于H.263(+)的一种运动估计快速搜索算法 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了适合H.263的一种改进算法.改进的新三步法(improved NISS),基于NISS的改进方案,结合H.263(+)的高级选项使用时可以大大减少计算量.采用全搜索算法计算量最大,各种快速算法都是以限制搜索步骤或点数来换取计算量的大大减少,同时保证了性能的降低最小.无论运动图像剧烈与否,该方案都提出了克服的方法.实际测试表明改进的这种方法性能上几乎达到了全搜索法(FS)的结果,而时间上只有FS的5%左右. 相似文献
63.
采用反射式二次谐波产生 (SHG)方法对非对称Ⅱ Ⅵ族耦合量子阱Zn1 -xCdxSe ZnSe的非线性光学特性进行了研究。非中心对称性和阱间耦合效应在很大程度上增强了材料的非线性效应。发现在入射光和反射光均为p偏振 ,以及入射光和反射光分别为s偏振和p偏振两种情况下 ,SHG信号都随Cd含量x的增大而减小。与ZnSe基体材料相比 ,非对称耦合量子阱 (ACQW)在可见光波段的SHG信号增强一个量级以上。同时发现SHG信号随入射光偏振角的变化而周期性地变化。 相似文献
64.
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。 相似文献
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本文阐述了网络远程维护人员进行网络维护时比较有用的三种有效方法的原理及其设置 ,较好地解决了故障排除的时间和网络维护成本的矛盾。 相似文献
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