首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   63832篇
  免费   5608篇
  国内免费   2890篇
电工技术   3576篇
技术理论   2篇
综合类   4111篇
化学工业   10728篇
金属工艺   3729篇
机械仪表   4076篇
建筑科学   4692篇
矿业工程   2138篇
能源动力   1697篇
轻工业   4000篇
水利工程   1075篇
石油天然气   3939篇
武器工业   526篇
无线电   7705篇
一般工业技术   7760篇
冶金工业   3067篇
原子能技术   634篇
自动化技术   8875篇
  2024年   354篇
  2023年   1135篇
  2022年   1840篇
  2021年   2591篇
  2020年   1981篇
  2019年   1769篇
  2018年   1927篇
  2017年   2123篇
  2016年   1920篇
  2015年   2482篇
  2014年   3029篇
  2013年   3627篇
  2012年   4057篇
  2011年   4461篇
  2010年   3693篇
  2009年   3527篇
  2008年   3397篇
  2007年   3297篇
  2006年   3661篇
  2005年   3033篇
  2004年   2124篇
  2003年   1802篇
  2002年   1596篇
  2001年   1444篇
  2000年   1557篇
  1999年   1711篇
  1998年   1511篇
  1997年   1266篇
  1996年   1146篇
  1995年   953篇
  1994年   835篇
  1993年   570篇
  1992年   427篇
  1991年   366篇
  1990年   262篇
  1989年   212篇
  1988年   184篇
  1987年   121篇
  1986年   97篇
  1985年   59篇
  1984年   30篇
  1983年   20篇
  1982年   28篇
  1981年   16篇
  1980年   21篇
  1979年   10篇
  1978年   7篇
  1977年   5篇
  1976年   14篇
  1975年   9篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
一氧化碳对聚丙烯收率、结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析研究了Montell(Himont)聚丙烯工艺中CO对聚丙烯收率、产品结构的影响。  相似文献   
22.
本文比较了几种常用的α厚层测量法的定标方法。实验结果表明,共沉淀法是一种比较理想的定标方法,它所制得的标准样品的定标曲线线性较好,探测效率较稳定。  相似文献   
23.
为使北京谱仪端盖族射计数器更好地工作在自猝灭流光SQS模式下,提高其能量分辨以及线性等指标,用Ar,CO2,Lsobutane三元工作气体对探测器的工作性能进行了仔细研究,找出了一适合于主雇地数器的工作气体,此外,还研究了异丁的纯度对探测器性能的影响。  相似文献   
24.
It has been reported that high-temperature (~1100°C) N2 O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N2O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO2 interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO2 interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate  相似文献   
25.
简要介绍了蒸汽发生器水位控制系统的运行方式和试验方法。试验项目包括旁通阀控制试验、主给水阀控制试验和旁通阀与主给水阀的切换试验。文中给出了试验结果,即在液位扰动和核动率扰动时,蒸汽发生器液位的变化过程。经过两个月的运行和瞬态试验,证明蒸汽发生器水位控制系统满足设计要求。  相似文献   
26.
Acrylonitrile–butadiene–styrene (ABS)/montmorillonite nanocomposites have been prepared using a direct melt intercalation technique by blending ABS and organophilic clay of two different particle sizes: OMTa (5 µm) and OMTb (38 µm). Their structure and flammability properties were characterized by X‐ray diffraction, high resolution electronic microscopy (HREM), thermogravimetric analysis (TGA) and cone calorimeter experiments. The results of HREM showed that ABS/5 wt% OMTa nanocomposite was a kind of intercalated–delaminated structure, while ABS/5 wt% OMTb nanocomposite was mainly an intercalated structure. The nanocomposites showed a lower heat release rate peak and higher thermal stability than the original ABS by TGA and cone calorimeter experiments. Also, the intercalated nanocomposite was more effective than an exfoliated–intercalated nanocomposite in fire retardancy. Copyright © 2003 Society of Chemical Industry  相似文献   
27.
28.
29.
Function plotting using conic splines   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
30.
A semiconductor optical amplifier was developed for coarse wavelength-division-multiplexing (CWDM) operating over 1540-1620 nm (C-L band). A unique quantum-well structure was designed to meet the requirements for the CWDM operation such as wide bandwidth, low polarization-dependent gain, and high-saturation power at the short wavelength end of the band (1540 nm). Over the band, 24-dB maximum chip gain was obtained with less than 4.3-dB gain flatness and more than 14.6-dBm saturation power.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号