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91.
Quantitative x-ray diffraction topography techniques have been used to measure the residual strain magnitude and uniformity
of deposition for Mo and W sputtered films on Si(100) substrates. High sensitivity rocking curve measurements were able to
determine differential strains for films as thin as 2.5 nm; while Bragg angle contour mapping had similar sensitivity and
was also able to assess coating uniformity and stress distribution over areas covering a whole wafer. Measurements of strain
versus film thickness over a range of 2.5 nm to 80 nm showed that a critical thickness exists for maximum residual strain.
Growth beyond this range produces stress relaxation. This non-destructive type of analysis could be employed on a wide range
of film-substrate combinations. 相似文献
92.
In this note we present a proof to the conjecture given in the above paper, and therefore establish the equivalence of characterizations of fixed modes for the general case. 相似文献
93.
利用负序电流法和零序电流法监测三相异步电动机的运行状态,并设计电动机保护电路和PLC的控制梯形图,提出用FX系列PLC进行故障类型判别和报警处理,设计方案原理简单、工作可靠。 相似文献
94.
辐射制备缓释抗癌药阿糖胞苷的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报告了甲基丙烯酸酯类在室温下进行辐射聚合制备缓释抗癌药阿糖胞苷(Ara-C)的研究结果。结果表明,不仅亲水性单体,而且疏水性单体(包括MMA、EMA和BMA等)都可用于辐射固化。加入到亲水性基质中的疏水性单体可以延缓药物的离体释放,其顺序是MMA<EMA<BMA,央MMA-HEMA共聚物中,Ara-C释放率随着基质中的MMA含量增加而降低。药物的离体释放还受许多困素的控制,结果显示:药物释放量随着 相似文献
95.
提出一种极近距离雷达概念,并导出其作用距离公式,在此基础上研制出一台3mm波段极近距离多普勒雷达样机.试验结果表明该雷达结构简单,成本低廉,在作用距离为零点几米至几米范围内可获得较高的定距精度. 相似文献
96.
97.
用VBA编程生成螺纹三维实体模型 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了在AutoCAD中用VBA编写的,造型螺纹三维实体模型的程序的理论依据和算法。介绍了该程序的使用方法,列出了程序框图和重要部分的程序清单。 相似文献
98.
Sun Linzhi Luo Yi Zhang Yanan Sun Ping Qin Xinjie Gong ZhenbangPrecision Machinery Institute Shanghai University Shanghai China 《机械工程学报(英文版)》2002,15(4):303-307
An experimental bimorph piezoelectric element (PZT) actuator for small pipe robot is developed. The robot can move in φ20 mm pipe, and can carry a CCD camera for detecting cracks or fine holes on inner surface of pipe. The velocity of the robot can reach 17~22 mm/s for vertical pipe up/down, respectively. Moving principle and its performance characteristics are presented. 相似文献
99.
100.
Y. M. Tao J. Nin G. Y. Delisle 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》1995,16(10):1769-1772
GaAs Gunn diodes were fabricated for pulse source application at 8 mm wave band and operated with pulsewidths of 0.05 to 2.0 microseconds and duty cycles of 0.001 to 0.01. Peak pulse output power levels of 0.8–1.2W are achieved and the maximum available power is 1.6W with the highest efficiency of 6.5 percent. A simple and compact pulsed power combiner is also given in this paper. 相似文献