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主要研究了少量掺铁对NiMnGa铁磁性形状记忆合金的相变行为和显微组织的影响.透射电镜结果表明1%(原子分数)Fe元素的加入并不会改变基体NiMnGa合金的显微结构,母相仍为L21有序结构,马氏体为7M马氏体,其亚结构为孪晶.DSC结果表明在马氏体逆相变发生前存在一个预相变,这在NiM1nGa系合金中还是第一次发现.研究表明掺铁NiMnGa合金仍然具有良好的磁性能. 相似文献
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HNO3和有机介质中U(Ⅳ)的稳定性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了HNO_3和TBP-煤油介质中U(Ⅳ)的稳定性。测定了两种介质中U(Ⅳ)、HNO_3、TBP浓度和气相中氧浓度对U(Ⅳ)氧化速率的影响。U(Ⅳ)的氧化速率都随温度提高而明显增加.其表观活化能分别为91kJ/mol(HNO_3介质)和42kJ/mol(TBP-煤油介质)。对两种介质中U(Ⅳ)的氧化速率规律进行了比较。 相似文献
37.
通过分析钢水在结晶器内凝固的不均匀性及对钢水结晶的热量平衡计算,讨论连铸中间包钢水温度、结晶器冷却水流量及进出水温差对拉坯速度的影响。 相似文献
38.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
39.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
40.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献