Fabrication of Schottky barrier MOSFETs using self-assembly CoSi2 nanopatterning and spacer gate technologies

A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi₂ nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n⁺-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO₂ and 300 nm Si₃N₄. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi₂ layer and a subsequent out-diffusion process to form the n⁺-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.     

Catalytic aminolysis of epoxide by alumina prepared from amine-protected Al precursor

The catalytic activities of alumina prepared from an Al alkoxide-amine adduct monomer for the reaction of cyclopentene oxide with piperidine was determined after various pretreatments, including calcination and exposure to moisture. They were compared with the activity of alumina prepared by the conventional hydrolysis method. It was found that the as-prepared sample from the alkoxide-amine monomer preparation was five times more active than a conventional preparation, suggesting that it has a higher density of surface Lewis acid sites. However, its activity was much more severely suppressed by exposure to moisture.     

光电对抗仿真试验系统综述

论述了研制光电对抗仿真试验系统建设的目的和意义,光电武器系统的现状和发展趋势,介绍了光电对抗仿真试验系统的一般组成,给出了光电武器系统的常规试验内容和试验流程,并论述了可能采用的试验方法。     

移动网络中的独立式安全管理系统

本文提出一种适用于移动网络的安全管理系统,由于访问网络能够独立地对漫游用户进行认证,所以称该系统为独立式安全管理(ISM).基于ISM设计一种漫游用户的认证协议,通过对协议的比较分析可以看出,相对于其它安全管理系统,ISM的突出优点是安全责任划分清晰、认证效率高.     

吐哈盆地巴喀油田特低渗砂岩油层裂缝分布特征

巴喀油田中侏罗统砂岩属特低渗透裂缝 孔隙型储集层 ,平均渗透率为 0 .3× 10 - 3μm2 ;地下基质岩块孔隙度为7.4%,渗透率为 0 .16× 10 - 3μm2 。砂岩储集层发育的主要裂缝类型有构造层理缝、正向正交缝、斜向正交缝和羽裂等 ,裂缝宽度一般为 0 .3～ 3 .2mm ,纵向切深为 0 .1～ 0 .8m ,水平延伸长度为 0 .2～ 2 .1m。裂缝以半充填为主 ,其分布受岩性、层厚和构造位置的影响 ,纵向、横向均呈带状分布 ,被裂缝切割而成的基质岩块尺寸取决于裂缝频率 ,岩块长轴方向以北西西向为主 ,与构造轴向基本一致。图 3表 4参 8     

层序单元体系域划分及勘探意义

体系域是层序地层学理论体系中的重要概念，在隐蔽油气藏的勘探中，勘探家们极为重视低位体系域。但体系域的成因意义、是否有不同级别层序的体系域以及如何划分，在实际工作中认识不一致。结合勃海湾盆地的勘探实例，分析体系域的成因机制、组合特征和勘探规律，认为：体系域是基准面变化等因素作用的产物，不同级别的层序都发育着与其对应的体系域：一般情况下，三级层序对应的体系域单元与含油气层的规模相匹配，但四级层序对应的体系域才是隐蔽油气藏赋存的有利部位。图5参6。     

龙滩水电站地下厂房进水口高边坡加固支护设计

龙滩水电站地下厂房进水口高边坡开挖坡高达435m，坡面面积达27万m^2，为典型的反倾向层状结构岩质高边坡。为了确保进水口坝段的稳定，必须保持边坡岩体有足够的稳定性，通过采取边坡轮廓设计，防渗、排水设计，加固支护设计及施工控制等一系列措施，确保边坡稳定。文章简要论述了边坡设计的原则、标准、高边坡轮廓设计、防渗排水系统、加固支护措施、施工控制等情况。     

利用整合区域特性约束提高孔隙率模拟精度

本文将空间结构变化的要求与动态资料确定的储量共同作为约束,建立了包含两个约束条件的目标函数, 应用模拟退火算法对孔隙率的空间分布进行预测。在实现过程中,通过初始控制参数的给定及目标函数修改提高了运算效率。由于目标函数有效地整合了静、动态信息,从而降低了模拟结果的不确定性．提高了模拟的精度。合成数据及实际数据的模拟试验表明,整合区域特性约束不仅提高了孔隙率模拟精度,而且算法收敛快、稳定性高。     

MEG钻井液在吐哈油田小井眼侧钻井中的应用

吐哈油田小井眼开窗侧钻井主要采用混原油钻井液,不利于环境保护。从研究MEG单体的作用机理入手,以钻井液润滑性、抑制防塌性为主要评价指标,对MEG钻井液配方进行了优选,并对优选配方钻井液性能进行了评价。该钻井液在4口小井眼开窗侧钻井进行了试验应用。结果表明:应用井无阻、卡现象,平均钻井周期缩短了7.2d;在未混原油的情况下钻井液润滑系数比乳化原油(15%~20%)钻井液降低了34.6%;油层保护效果好,其中温5-41C井日产油14.4t,同比温五区块平均产量提高了128.4%,神218C井是神229区块目前唯一的自喷井。表明优选出的MEG钻井液具有优良的润滑性、抑制防塌性及良好的储层保护效果,特别适合强水敏地层及大斜度井和水平井等特殊复杂工艺井的钻进。     

基于USB总线的虚拟频谱分析仪设计

文章详细介绍了基于USB总线的虚拟频谱分析仪的设计过程。该仪器使用嵌入式混合处理器MC56F8323来实现动态信号的实时采集、频谱分析和数字滤波等功能。处理结果由USB2．0接口芯片CY7C68013上传至PC机．以完成数据显示、存储、绘制图形等功能。其中，CY7C68013工作于Slave FIFO模式，以实现与MC56F8323间的数据传输。该系统可同时对两路动态信号进行实时谱分析，每路采样频率高选500kHz。