首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   69126篇
  免费   5993篇
  国内免费   3002篇
电工技术   3988篇
技术理论   10篇
综合类   4591篇
化学工业   11635篇
金属工艺   3658篇
机械仪表   3919篇
建筑科学   5425篇
矿业工程   1844篇
能源动力   1957篇
轻工业   5343篇
水利工程   1312篇
石油天然气   3704篇
武器工业   529篇
无线电   8295篇
一般工业技术   8561篇
冶金工业   3479篇
原子能技术   729篇
自动化技术   9142篇
  2024年   319篇
  2023年   1192篇
  2022年   2119篇
  2021年   2904篇
  2020年   2278篇
  2019年   1807篇
  2018年   2066篇
  2017年   2170篇
  2016年   2097篇
  2015年   2705篇
  2014年   3369篇
  2013年   3940篇
  2012年   4360篇
  2011年   4771篇
  2010年   3915篇
  2009年   3749篇
  2008年   3722篇
  2007年   3471篇
  2006年   3307篇
  2005年   2889篇
  2004年   2160篇
  2003年   1904篇
  2002年   1748篇
  2001年   1566篇
  2000年   1705篇
  1999年   2024篇
  1998年   1724篇
  1997年   1410篇
  1996年   1385篇
  1995年   1156篇
  1994年   1008篇
  1993年   698篇
  1992年   551篇
  1991年   395篇
  1990年   339篇
  1989年   309篇
  1988年   219篇
  1987年   154篇
  1986年   110篇
  1985年   81篇
  1984年   62篇
  1983年   41篇
  1982年   52篇
  1981年   33篇
  1980年   34篇
  1979年   14篇
  1977年   9篇
  1976年   13篇
  1974年   11篇
  1973年   9篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
191.
Five-terminal silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs have been characterized to determine the threshold voltage at the front, back, and sidewall as a function of the body bias. The threshold voltage shift with the body bias at the front and back interfaces can be explained by the standard bulk body effect equation. However, the threshold voltage shift at the sidewall is smaller than predicted by this equation and saturates at large body biases. This anomalous behavior is explained by two-dimensional charge sharing between the sidewall and the front and back interfaces. An analytical model that accounts for this charge sharing by a simple trapezoidal approximation of the depletion regions and correctly predicts the sidewall threshold voltage shift and its saturation is discussed. The model makes it possible to measure the sidewall threshold even when it is larger than the front threshold voltage  相似文献   
192.
郝永明古建园林绘画作品另辟蹊径,难能可贵。郝永明的画,不仅给我国美术宝库增加了一份积累,也给古建园林艺术增添了珍贵的资料。  相似文献   
193.
A 4-MB L2 data cache was implemented for a 64-bit 1.6-GHz SPARC(r) RISC microprocessor. Static sense amplifiers were used in the SRAM arrays and for global data repeaters, resulting in robust and flexible timing operation. Elimination of the global clock grid over the SRAM array saves power, enabled by combining the clock information with array select signals. Redundancy was implemented flexibly, with shift circuits outside the main data array for area efficiency. The chip integrates 315 million transistors and uses an 8-metal-layer 90-nm CMOS process.  相似文献   
194.
通过采用竖向预应力技术 ,解决了 60m高度处单片 8m高悬臂钢筋混凝土墙根部裂缝宽度超过规范限值的问题 ;采用将预应力钢绞线顶端锚固于墙高中段等结构和施工措施 ,控制墙体长细比不超过 3 0 ,减少了由于长细比过大对墙体承载力的不利影响  相似文献   
195.
卢纯 《住宅科技》2007,27(8):44-47
文章通过对上海“新浦江城”首期项目的介绍,分析了意大利设计在该项目应用中的独特之处,同时指出了存在的一些问题。指出国外设计应结合中国国情,符合社会发展的需要。  相似文献   
196.
华北油田泥灰岩储层曾进行多种类型的酸化增产改造工艺,但均未取得理想效果。经过对泥灰岩地层进行大量的油藏地质、室内试验研究以及工程、地质技术人员的反复论证,优选出一种切实可行的酸压改造措施——前置液+高温乳化酸+固体硝酸酸压工艺。经过现场应用,收到了较好的增产效果,为华北油田泥灰岩储层改造措施找到了突破口。  相似文献   
197.
绿意 《园林》2005,(2):14-15
运动的环热烈的爱//圆点示爱//纯洁爱情//心心相印//透过玻璃的美  相似文献   
198.
陆志坚  邓深 《柳钢科技》2007,(F09):112-114
通过分析100t转炉冶炼工艺中存在的问题,对冶炼工艺进行优化,提高转炉过程控制能力和一倒炉命中率,结果表明:过程喷溅可降低至9%,冶炼终点命中率提高到63% 以上。[第一段]  相似文献   
199.
针对梅山自产焦炭,利用梅山焦炭反应性试验设备,通过改变焦炭块数、CO2流量和温度等控制参数,讨论了这些参数对焦炭反应性和反应后强度检测值的影响,以及保证测定可靠性应采取的控制措施。  相似文献   
200.
周鲁  刘红岩 《梅山科技》2006,(B12):39-40
针对烧结机新老蒸汽系统各自独立,使用效率低,不能充分发挥效能的状态,提出了蒸汽系统新老余热管网并网改造,经过一年多的运行,取得了显著的效果。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号