离子交换纤维微观形貌特点及结构修饰研究

利用比表面积测试仪、扫描电子显微镜等物理化学方法对颗粒与纤维状离子交换剂的链间交联与微观形貌进行了研究,通过刚性交联剂对聚丙烯-苯乙烯-二乙烯基苯(PP-ST-DVB)离子交换纤维骨架结构进行了修饰改造。结果表明:离子交换纤维由于不能通过交联剂与致孔剂参与下的单体聚合构建具有丰富微孔的高分子骨架,所以不存在丰富孔结构和高比表面积特征,其内部为连续凝胶相结构;外比表面积大、传质距离短、交联键分布均匀是其反应动力学和渗透压稳定性能优异的主要原因;刚性交联剂在PP-ST-DVB纤维上的附加交联反应使其比表面积从原来的0.5 m~2/g提高到200 m~2/g以上,附加交联反应所形成的分子尺度微孔孔径分布窄,具有超高交联树脂的结构特点。     

300 MW机组直接空冷系统凝结水过冷却分析

以包头市第二热电厂300 MW直接空冷系统为例,分析了凝结水过冷却的原因,主要有凝结水回水被外界空气冷却、真空严密性差以及补充水溶氧和补水方式的影响等,提出加装保温、雾化喷嘴和改进补水方式等减小冷却度的措施.     

分相无功补偿装置的研制

为了改善电能质量,研制了一种新型无功补偿装置(SVC),对三相不对称负载的无功功率进行分相补偿,使得电网的无功功率得到大致的平衡。该装置的控制器使用新型ATmega16单片机进行控制,运用了傅里叶快速分解和瞬时无功功率理论[1],采用晶闸管作为开关,循环投切电力电容器组,实现无功补偿,本文对该型无功补偿装置的软硬件基本原理进行了介绍。通过样机运行表明,该装置控制准确灵活、补偿方式安全、效果明显,具有较大的社会效益与经济效益。     

利用网络思想构建EMC预测模型

电磁兼容预测是对于系统或设备是否满足EMC(电磁兼容性)要求的预估计,是为了在设计及调试阶段解决EMC问题,从而提高系统可靠性和降低成本。系统在构成一个功能体系的过程中,必须重视EMC问题,否则将导致体系内各系统自相干扰,体系的性能降低,甚至无法工作。文中介绍了一种系统间EMC预测模型的建立方法,将网络思想应用于EMC预测,从频谱的角度入手,将干扰的实质充分体现出来。应用该方法,EMC预测模型变得直观、简洁,便于通过计算机实现。     

基于IEEE802.11协议的WLAN网络无线资源管理浅析

研究了WLAN网络中的无线资源管理问题.基于MAC分离的思想给出了一种新的WLAN框架结构,在此框架结构基础上,分析了信道分配、功率控制以及负载均衡等无线资源管理问题,提出了相应的解决方案.     

磨料和H_2O_2对InSb CMP效果影响的研究

InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素.采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和氧化剂含量对InSb的CMP效果的影响规律,实验研究了磨料和氧化剂(H2O2)的优化配比参数,并在此参数下,获得了良好的抛光表面.     

小芯径折射率引导型光子晶体光纤的制备和研究

介绍一种小芯径折射率引导型光子晶体光纤(PCF)的拉制方法.制备出的光纤纤芯周围第一层空气孔发生形变,呈柚子形,其芯径为1.7μm,孔间距A和空气孔直径d分别为3.4 μm和2.8μm.由于光纤结构的特殊性,采用有限元法在200～1600 nm波段对其基模有效折射率、色散系数、有效模场面积以及非线性系数进行了数值模拟计算.经过理论计算,这种光纤在所研究的波段具有极高的非线性系数且表现为反常色散,这些特性十分有利于超连续谱的产生.在测量了光纤的损耗、色散等基本特性后,选取损耗较小凡位于光纤反常色散区域,中心波长为800 nm的飞秒激光作为光源,将不同功率的超短激光脉冲耦合入光纤,对这种小芯径折射率引导型光子晶体光纤产生超连续谱的过程进行了测量和分析.     

彩色图像与灰度图像间转换的程序设计

图像处理是一门很有价值的学科,在科学技术不断发展的今天它的技术已趋于成熟.同时图像之间的转换,在实际应用中也显的越来越重要.本文主要介绍彩色图像的灰度转换和伪彩色处理算法.并且利用这两种算法设计出两种图像转换的程序.论文对程序的主要结构进行了说明,列出了程序的流程图.并且对彩色图像和灰度图像的一些基本属性进行了介绍.     

Effective improvement of high-k Hf-silicate/silicon interface with thermal nitridation

The electrical properties of polysilicon gate MOS capacitors with hafnium silicate (HfSiO) dielectric, with and without NH/sub 3/ nitridation, were investigated. The results show that with NH/sub 3/ nitridation prior to deposition of HfSiO can effectively tune the flatband voltage close to that of conventional oxide and significantly improve the leakage properties over SiO/sub 2/ (three orders reduction). Furthermore, the excellent interface quality has been evidenced by the result of immunity against soft breakdown with NH/sub 3/ nitridation.