首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   250142篇
  免费   30059篇
  国内免费   20959篇
电工技术   23435篇
技术理论   2篇
综合类   26554篇
化学工业   30192篇
金属工艺   16473篇
机械仪表   17809篇
建筑科学   19086篇
矿业工程   10314篇
能源动力   6508篇
轻工业   26967篇
水利工程   8766篇
石油天然气   9349篇
武器工业   3722篇
无线电   27933篇
一般工业技术   21569篇
冶金工业   10241篇
原子能技术   4392篇
自动化技术   37848篇
  2024年   1679篇
  2023年   4308篇
  2022年   9996篇
  2021年   12906篇
  2020年   9430篇
  2019年   6661篇
  2018年   6881篇
  2017年   8094篇
  2016年   7242篇
  2015年   11682篇
  2014年   14456篇
  2013年   17048篇
  2012年   20934篇
  2011年   21940篇
  2010年   20802篇
  2009年   19542篇
  2008年   20190篇
  2007年   19503篇
  2006年   17012篇
  2005年   13613篇
  2004年   9679篇
  2003年   6595篇
  2002年   6089篇
  2001年   5337篇
  2000年   4264篇
  1999年   1733篇
  1998年   625篇
  1997年   459篇
  1996年   407篇
  1995年   369篇
  1994年   241篇
  1993年   196篇
  1992年   201篇
  1991年   122篇
  1990年   119篇
  1989年   122篇
  1988年   77篇
  1987年   55篇
  1986年   55篇
  1985年   30篇
  1984年   37篇
  1983年   34篇
  1982年   36篇
  1981年   40篇
  1980年   74篇
  1979年   52篇
  1977年   10篇
  1976年   19篇
  1959年   58篇
  1951年   53篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
川东北三叠系飞仙关组鲕滩气藏有利储集层的形成与分布   总被引:19,自引:5,他引:14  
川东北地区三叠系飞仙关组鲕滩气藏是近年四川盆地碳酸盐岩天然气勘探取得重大突破的领域,目前在中国石油探区内已发现罗家寨、渡口河、铁山坡等大中型气藏。对鲕滩气藏白云岩储集层进行岩心观察、显微薄片分析,并进行微量元素、流体包裹体、X衍射、阴极发光及电子探针等分析,结果表明,白云岩化和多期溶蚀是形成优质白云岩储集层的关键因素,混合云化与埋藏云化的叠加作用是形成孔隙性白云岩储集层的基本条件。飞仙关组鲕滩气藏储集层经历了4期溶蚀作用,即同生期溶蚀作用、浅埋期溶蚀作用、深埋期溶蚀作用和抬升期溶蚀作用,形成优质白云岩储集层的主要溶蚀作用是浅埋期和深埋期的溶蚀作用。优质白云岩储集层主要分布在台缘鲕粒滩相带,纵向与亮晶鲕粒灰岩呈韵律性互层,横向主要分布在鲕粒滩坝靠近漏湖-潮坪一侧。  相似文献   
142.
基于媒体用户访问行为偏好模型的代理缓存算法   总被引:2,自引:0,他引:2  
目前,代理缓存技术广泛应用于改善流媒体传输的服务质量.文章从实际用户日志文件的分析出发,利用发现的用户浏览流媒体对象时的行为分布模型,提出了一种新的视频流媒体缓存算法.仿真结果证明,该算法可以通过记录很少的用户访问信息获取较高的性能表现.  相似文献   
143.
杨政  田杰谟 《功能材料》2003,34(2):200-202
利用转盘装置测量了ZrO2、Si3N4和Al2O3/Ti(NC)等陶瓷材料受到水的空蚀破坏的体积损失,通过SEM观察和XRD分析,探讨了微观结构和抗空蚀性能的关系。  相似文献   
144.
主动式红外光电靶的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出了采用红外光源的主动式光电靶的设计构想,用以消除传统天幕靶在对低速弹测量时,声音对测量的干扰,并设计了整个实验方案,在对静态实验结果进行分析的基础上,证明了该种方法的可行性。  相似文献   
145.
The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on‐chip 1 to 6 GHz up‐conversion and 1 to 8 GHz down‐conversion mixers using a 0.8 µm SiGe hetero‐junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up‐conversion mixer was implemented on‐chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down‐conversion mixer was implemented on‐chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz.  相似文献   
146.
求解机械装配规划的新方法   总被引:6,自引:0,他引:6  
张钹  张铃 《计算机学报》1991,14(8):561-569
本文提出一个求解机械装配规划的算法,其计算量~O(sN~2),其中s是零件所有可能装配方向的个数,N是工件的零件数(一般s~O(N)).而现行的求机械装配规划的算法,其计算量均随N的增加按指数律增加.  相似文献   
147.
提出了一种基于峭度-小波包-包络分析的滚动轴承故障自动诊断方法。首先用峭度系数判断是否出现故障,再针对故障轴承振动信号非平稳和调幅的特点,用小波包将信号分解到不同的节点上。然后将不同节点的重构信号做包络谱分析,将谱峰处的频率同滚动轴承内圈、外圈、滚珠、保持架等的故障频率进行对比分析,在此基础上,运用最小距离判别法则自动获得故障原因,从而实现滚动轴承故障的自动诊断。通过对实验中采集到的轴承振动信号进行分析,证明了该方法在轴承早期故障诊断中的有效性。  相似文献   
148.
结构化P2P网络中基于流言传播的负载均衡   总被引:11,自引:0,他引:11  
提出了结构化P2P网络中利用结点间周期性的拓扑维护通信来夹带、传播消息进行负载均衡的方法,具体针对Chord系统从消息传播的速度和规模两个方面分析了该方法的性能,并利用仿真进行了验证。讨论了结论在其它形式网络中的推广和实现中的消息管理问题。  相似文献   
149.
三维PDP放电过程数值模拟软件   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了三维PDP放电过程模拟软件,该软件可较真实地反映放电单元的实际情况,对放电性能进行优化设计,且具有通用性强、界面友好、使用方便、功能完善等特点。可对不同结构、不同气体成份、不同驱动电压及波形等情况进行计算。  相似文献   
150.
The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号