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川东北三叠系飞仙关组鲕滩气藏有利储集层的形成与分布 总被引:19,自引:5,他引:14
川东北地区三叠系飞仙关组鲕滩气藏是近年四川盆地碳酸盐岩天然气勘探取得重大突破的领域,目前在中国石油探区内已发现罗家寨、渡口河、铁山坡等大中型气藏。对鲕滩气藏白云岩储集层进行岩心观察、显微薄片分析,并进行微量元素、流体包裹体、X衍射、阴极发光及电子探针等分析,结果表明,白云岩化和多期溶蚀是形成优质白云岩储集层的关键因素,混合云化与埋藏云化的叠加作用是形成孔隙性白云岩储集层的基本条件。飞仙关组鲕滩气藏储集层经历了4期溶蚀作用,即同生期溶蚀作用、浅埋期溶蚀作用、深埋期溶蚀作用和抬升期溶蚀作用,形成优质白云岩储集层的主要溶蚀作用是浅埋期和深埋期的溶蚀作用。优质白云岩储集层主要分布在台缘鲕粒滩相带,纵向与亮晶鲕粒灰岩呈韵律性互层,横向主要分布在鲕粒滩坝靠近漏湖-潮坪一侧。 相似文献
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基于媒体用户访问行为偏好模型的代理缓存算法 总被引:2,自引:0,他引:2
目前,代理缓存技术广泛应用于改善流媒体传输的服务质量.文章从实际用户日志文件的分析出发,利用发现的用户浏览流媒体对象时的行为分布模型,提出了一种新的视频流媒体缓存算法.仿真结果证明,该算法可以通过记录很少的用户访问信息获取较高的性能表现. 相似文献
143.
利用转盘装置测量了ZrO2、Si3N4和Al2O3/Ti(NC)等陶瓷材料受到水的空蚀破坏的体积损失,通过SEM观察和XRD分析,探讨了微观结构和抗空蚀性能的关系。 相似文献
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Sang‐Heung Lee Seung‐Yun Lee Hyun‐Cheol Bae Ja‐Yol Lee Sang‐Hoon Kim Bo Woo Kim Jin‐Yeong Kang 《ETRI Journal》2005,27(5):569-578
The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on‐chip 1 to 6 GHz up‐conversion and 1 to 8 GHz down‐conversion mixers using a 0.8 µm SiGe hetero‐junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up‐conversion mixer was implemented on‐chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down‐conversion mixer was implemented on‐chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. 相似文献
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求解机械装配规划的新方法 总被引:6,自引:0,他引:6
本文提出一个求解机械装配规划的算法,其计算量~O(sN~2),其中s是零件所有可能装配方向的个数,N是工件的零件数(一般s~O(N)).而现行的求机械装配规划的算法,其计算量均随N的增加按指数律增加. 相似文献
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The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties. 相似文献