完善组装工艺与实施统计过程控制(SPC)

本文主要说明了X射线分层摄影法的在线检测，统计过程控制（SPC）在BGA装配中的应用，并通过BGA定位、制程能力、焊料桥接、焊料开路、焊料短路和把SPC应用于BGA，进一步简术了装配工艺与履行统计过程控制的关系。     

NSOM中石英音叉控制探针—样品间距的机制

建立了音叉－探针－样品系统机械振动方程和电子学振荡方程，并得到其振动特性的解析表达式，进一步得到等效电路的电子学特性，进而系统分析了压电石英音叉的控制探针与样品（T－S）间距离的作用机制及其机电特性。为探针－样品间距控制方法提供了依据。     

CATV机顶盒设计的原理与实现

介绍了数字电视机顶盒的基本原理和以有线电视传输网络为传播载体的数字电视机顶盒的设计原理，以及在实现过程中所用到的数据的调制与解调技术、加解扰技术和复用与解复用技术等关键技术。提出了一种基于ST公司Stv0297和Sti5518芯片的解决方案。     

基于LUT的SRAM-FPGA结构研究

作为微电子工业中发展最迅速的一个领域，现场可编程门阵列（FPGA）的内部结构设计越来越受到业内人士的关注。为此针对目前普遍采用的基于查找表（LUT）的SRAM－FPGA，着重研究了其逻辑模块设计、布线结构设计和输入输出模块设计，同时也对此类FPGA基本结构进行了优化设计。     

薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析

研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。     

Ku波段10W功率PHEMT

报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。     

高成品率砷化镓DPDT单片射频开关

采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga As单片电路成品率的最高水平     

单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究

报道了用热喷涂工艺制备单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对 Ti Ox 纳米减反射膜结构及折射率的影响 ,优化了热喷涂的工艺条件 ,并研究了 Ti Ox 纳米减反射膜对单体太阳电池效率的贡献。实验证明 ,用热喷涂工艺制备的纳米 Ti Ox 减反射膜可使 1 0 0 mm× 1 0 0 mm单体太阳电池的平均光电转换效率增加 8%～ 9%。     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

铁路远程网络维护的有效方法--呼叫回拨

本文阐述了网络远程维护人员进行网络维护时比较有用的三种有效方法的原理及其设置 ,较好地解决了故障排除的时间和网络维护成本的矛盾。