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A.L. Pan H.G. ZhengZ.P. Yang F.X. Liu Z.J. Ding Y.T. Qian 《Materials Research Bulletin》2003,38(5):789-796
Small Ag particles or clusters dispersed mesoporous SiO2 composite films were prepared by a new method: First the matrix SiO2 films were prepared by sol-gel process combined with the dip-coating technique, then they were soaked in AgNO3 solutions followed by irradiation of γ-ray at room temperature and in ambient pressure. The structures of these films were examined by X-ray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscope (HRTEM), and optical absorption spectroscopy. It has been shown that the Ag particles grown within the porous SiO2 films are very small, and they are isolated and dispersed from each other with very narrow size distributions. With increasing the soaking concentration and an additional annealing, an opposite peakshift effect of the surface plasmon resonance (SPR) was observed in the optical absorption measurements. 相似文献
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机械合金化Fe-Ni粉末的相结构 总被引:1,自引:0,他引:1
使用XRD和Moessbauer等方法,研究了在Ar气氛下机械合金化Fe—Ni粉末相结构的变化.结果表明,在机械合金化Fe64-Ni36粉末过程中,fcc相的数量随着球磨时间的增加先增加然后减少,与加乙醇球磨Fe64-Ni36的情形相同.当Ni的含量(原子分数)大于50%时,有fcc相、顺磁相和FeNi3形成,当Ni的含量低于50%时,bcc相的数量随着Ni含量减少而增加.Moessbauer谱的结果表明,因球磨时间或Fe、Ni比例的不同,Fe—Ni球磨粉末固溶体具有不同结构的原子配比。 相似文献
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分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
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稀油密封干式气柜普遍应用于钢铁企业储存煤气,而用于炼油厂储存瓦斯气也仅仅是近些年出现的现象,由于干式气柜自身特点所限,一些炼油企业在使用过程中出现一些问题,导致气柜不能安全、有效运行,重点介绍克拉玛依石化公司在干式气柜运用方面的一些经验和体会,希望给有关设计和生产单位提供参考。 相似文献
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一、概述 笔者于2002年11月份随中国包装总公司组织的赴美包装考察团对美国包装业进行考察.本次考察重点参加了在美国芝加哥举行的国际包装机械展览会.它集中展示了美国、加拿大及欧洲发达国家的最新包装技术和整体实力. 相似文献
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Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献