大气湍流对有限带宽波前补偿系统的影响

利用高灵敏度湍流探空仪的测量结果，给出了几种典型情况下大气湍流的特征模式。着重讨论冬、夏两季平面波通过大气湍流对有限带宽的自适应光学补偿系统的影响。分析了当自适应光学闭环的频率响应传递函数为Ｈ（ｆ）时，不同带宽波前系统的补偿效果。结果表明：当系统带宽为４０Ｈｚ时，Ｓｔｒｅｈｌ比可高于０．８５。冬季虽高空风速强于４０ｍ／ｓ，但Ｓｔｒｅｈｌ比没有显著减小。     

MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层

研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.     

一个1.2伏CMOS0.13微米工艺19.2毫瓦10位30兆采样率流水线模数转换器

A 10-bit 30-MS/s pipelined analog-to-digital converter (ADC) is presented. For the sake of lower power and area, the pipelined stages are scaled in current and area, and op amps are shared between the successive stages. The ADC is realized in the 0.13-μ m 1-poly 8-copper mixed signal CMOS process operating at 1.2-V supply voltage. Design approaches are discussed to overcome the challenges associated with this choice of process and supply voltage, such as limited dynamic range, poor analog characteristic devices, the limited linearity of analog switches and the embedded sub-1-V bandgap voltage reference. Measured results show that the ADC achieves 55.1-dB signal-to-noise and distortion ratio, 67.5-dB spurious free dynamic range and 19.2-mW power under conditions of 30 MSPS and 10.7-MHz input signal. The FoM is 0.33 pJ/step. The peak integral and differential nonlinearities are 1.13 LSB and 0.77 LSB, respectively. The ADC core area is 0.94 mm².     

底电极对PYZT铁电薄膜电容器的影响

ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的制备采用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法,将约５００ｎｍ厚的ＰＹＺＴ薄膜沉积在Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／ＳｉＯ２及Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上,基片为Ｓｉ（１１１）。详细分析研究了ＰＹＺＴ薄膜在不同底电极,不同快速热处理温度下的晶相结构及ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的小信号特性。研究发现,沉积在Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上的ＰＹＺＴ薄膜经８００℃快速热处理具有较接近理想外延ＰＹＺＴ薄膜结构,而且εｒ随着快速热处理温度升高而减小,在８００℃快速热处理条件下其εｒ约为１５０。     

Mg掺杂AlGaN的特性研究

采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的p型掺杂具有重要意义。     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.     

航空遥感器光学窗口光机热一体化设计

为减小光学窗口对航空光学遥感器成像质量的影响,对光学窗口的窗口玻璃厚度进行了优化设计。根据强度理论确定了窗口玻璃最小厚度。依据纵掠平壁理论计算出光学窗口外表面的平均对流换热系数;以热光学为基础,仿真了航摄时光学窗口的瞬态温度场分布;计算了光学窗口在热-力耦合作用下不同窗口玻璃厚度时的波像差(PV和RMS),最终确定了矩形光学窗口(290 mm×140 mm)的玻璃厚度为17 mm。试验结果表明:特征频率为60 lp/mm时光学系统传递函数为0.304,并获得了稳定、清晰的航摄图像。成功实现了光学窗口的光机热一体化设计,可为其他航空光学窗口设计提供参考。     

1.25Gb/s InP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成

描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.     

一种新的基于c／v的微电容的检测方法

论文分析了传统及现有小电容检测方法存在的问题,基于C／V电容检测的基本原理,提出了一种新的基于C／V的微电容的检测方法,设计了一个简易的微电容运算放大器检测电路。根据电路模型分析和仿真测试结果表明,该电路具有抗杂敦电容干扰强、灵敏度高、容易实现无损在线检测、成本低等优点。     

Design of TE01δ Test Probe for Measuring the Microwave Surface Resistance of HTS Thin Film

A new TE01δ test probe with proper transmission factor is fabricated for the measurement of surface resistance of high temperature superconductor (HTS) thin film. Coupling holes instead of coupling loops are used in the probe for its easier machining and relatively low loss. Two 6 mm × 3 mm × 8 mm dielectric waveguides, one side of them is coated by silver, are used for coupling. The measurement result of S21 agrees well with the simulation because the size of the probe can be rigidly controlled by machine. The microwave surface resistance of four YBCO/MgO films are measured at 77 K and 12 GHz and scaled to 10 GHz according to the f 2 rule. The average surface resistance of four HTS thin films is 0.38 mΩ, the standard deviation and relative standard deviation of one single HTS thin film are 0.009 mΩ and 2.4%, respectively.