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991.
J.‐H. Lim C.‐K. Kang K.‐K. Kim I.‐K. Park D.‐K. Hwang S.‐J. Park 《Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)》2006,18(20):2720-2724
992.
993.
994.
J. Luyten S. Mullens J. Cooymans A.‐M. De Wilde I. Thijs 《Advanced Engineering Materials》2003,5(10):715-718
995.
G.‐J. Zhang J.‐F. Yang M. Ando T. Ohji S. Kanzaki 《Advanced Engineering Materials》2003,5(10):741-744
996.
997.
998.
999.
Yong Kyu Lee Tae-Hun Kim Sang Hoon Lee Jong Duk Lee Byung-Gook Park 《Nanotechnology, IEEE Transactions on》2003,2(4):246-252
We have proposed a new twin-bit silicon-oxide-nitride-oxide-silicon memory (TSM)-inverted sidewall patterning (ISP) cell which has twin oxide-nitride-oxides (ONOs) physically separated by the ISP method under one control gate. This TSM-ISP can control the trapped charge distribution and make diffusion barrier of charges, so that program/erase (P/E) endurance and retention can be increased. The trapping nitride is narrow enough to reduce hot-hole erase times. To estimate the new device characteristics, we have devised a special simulation method of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) by implementing a simple idea in the conventional device simulator, \"MEDICI.\" By placing the floating nodes in nitride with adjusted density, which is supposed to play the role of charge traps in nitride, we can estimate not only the conventional SONOS characteristics, but also the new SONOS characteristics, such as TSM-ISP. 相似文献
1000.
S.&#x;J. May J.‐G. Zheng B.&#x;W. Wessels L.&#x;J. Lauhon 《Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)》2005,17(5)
The dendritic nanostructures shown on the cover background were generated by self‐assembled Mn clusters deposited from the vapor phase during vapor–liquid–solid growth of InAs nanowires. By carefully controlling the timing and amount of the Mn precursor, on p. 598 Lauhon and co‐workers demonstrate a route to the formation of ordered hierarchical nanowire structures shown from various perspectives in the cover insets. 相似文献