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91.
晶须取向对SiCw/Al复合材料切削表面质量的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
耿林  袁哲俊 《材料工程》1994,(2):6-7,29
切削与晶须取向方向间的夹角对SiCw/Al复合材料切削表面质量有很大影响。当切削角为45°时,晶须拔出和转动现象均较少,复合材料切削表面粗糙度最低。当切削角为135度时,晶段转动造成的撕裂破坏程度很大,复合材料切削表面粗糙度最大。  相似文献   
92.
机械化栽培甜菜平均单产33.18吨/公顷,比人工栽培生产田提高52.03%;平均含糖15.5度,比人工栽培生产田提高1.09度;平均技术效果138.2元/公顷;经济效果1588.8元/公顷;创造社会经济效益24.47万元。  相似文献   
93.
对经固溶处理的二种Al-Li合金(1.94wt.%Li和2.75wt.%Li)的时效过程进行了研究。结果表明:δ’的生长速率遵从Ostward粗化动力学。1.94wt.%Li合金δ’产生于时效过程中,而2.75wt.%Li合金的δ’产生于时效的前期阶段。前者的表现体积分数明显大于根据相图估算的数伍,真实体积分数则与此值接近;后者的体积分数低于根据相图估算的数值,这可能归咎于δ’固相线的位置、统计学误差及Li更易在时效过程中贫化。  相似文献   
94.
袁颖曦 《模具制造》2007,7(12):79-81
列举了民营模具企业常见的几种泄密现象,并提出了防范措施。  相似文献   
95.
文章对非标准工况下的空分设备增产氩措施进行了研究。以宝钢6#60000m3/h空分设备为例,通过设计型算法和校核型算法,建立了空分设备精馏的数学模型,通过改变数学模型的参数,分析了在非标准工况下精馏塔内的组分浓度分布,并提出了优化后的操作方案和操作参数,实施后提高了空分设备的氩提取率,取得了显著的经济效益。  相似文献   
96.
介绍了工业控制计算机(IPC)在工业自动化领域中对直流机控制的应用,以工控机作为实验平台。设计了IPC测控系统之一的直流机测控子系统的实验装置,叙述了如何用IPC进行直流机转速的脉冲调宽式(PWM)控制,并通过软件实现在多任务实时操作系统(MROS)申直流机的速度测控和速度曲线绘制。  相似文献   
97.
你快乐么     
边缘 《食品与药品》2006,8(5B):31-31
远的有海明威,近的有三毛、陈宝莲、张国荣,刚刚又有了李恩珠,不一样的生活背景,一样的方式结束人生。只因为他们被相同的问题所纠缠、困扰——抑郁症,让巨星陨落,美人香消。[编者按]  相似文献   
98.
We present a method to obtain complete information of femtosecond pulses. By measuring triple-optical autocorrelation directly with third-harmonic generation, without spectral information, a temporal pulse shape can be obtained by analytical calculation without direction-of-time ambiguity. Combining the resulting optical pulse shape with its corresponding optical spectrum, the exact phase and color variations in time can all be recovered with a Gerchberg-Saxton algorithm through an iterative calculation with an O(n) complexity.  相似文献   
99.
尿素醇解合成碳酸酯类化合物技术进展   总被引:12,自引:1,他引:11  
综述了用尿素醇解合成碳酸酯类化合物的技术进展 ,重点介绍尿素醇解合成碳酸二甲酯研究现状以及与其它工艺路线的比较 ,另外也介绍了尿素醇解合成长碳链脂肪族和芳香族类碳酸酯的研究进展。  相似文献   
100.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀   总被引:2,自引:2,他引:0  
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。  相似文献   
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