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1.
钟卫平 《光通信技术》2006,30(11):58-61
分析光折变三维存储器的机理,探讨了光折变三维存储器的编码方式、光折变材料的选择及存储技术,阐述了其产业化进程.  相似文献   
2.
本文描述数据访问组件MDAC(Microsoft Data Access Components)的结构与编程接口,分析了MDAC缓冲区溢出安全漏洞的原因,最后阐述了最新MDAC2.8的安全特征.  相似文献   
3.
标识化语言的发展及在电子物流中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
重点阐述了XML技术的发展和对EDI技术的有效补充与改进,并展望基于XML技术的电子商务物流数据交换技术的发展前景。  相似文献   
4.
Spectral and structural characteristics of distributed Bragg reflector (DBR) in vertical-cavity surface-emitting lasers were studied with photoluminescence and double- crystal X- ray diffraction measurement. The expected high quality epitaxial DBR structure was verified. In the X- ray double- crystal rocking curves of DBR the zeroth- order peak, the first and second order satellite peaks were measured. Splitting of diffraction peak appeared in the rocking curves was analyzed. The effects of introduced deep energy levels on the structural perfection and optical properties were discussed.  相似文献   
5.
近年来,"菜鸟"作为一个新兴词语在网络上广为流传,甚至波及到社会生活的方方面面.通过语素分析和近义比较,可以来考察此词的读音和意义.  相似文献   
6.
电冰箱压缩机过载保护器匹配试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
钟小鹏 《制冷》2002,21(1):15-17
过载保护器是避免压缩机电机烧毁的一个关键部件。本文阐述了过载保护器的匹配试验方法 ,并成功运用于 CFCs替代工质新产品的开发之中。  相似文献   
7.
单壁纳米碳管/纳米铝基复合材料的增强效果   总被引:12,自引:0,他引:12  
用半连续氢电弧法和活性氢等离子蒸发法分别制备出单壁纳米碳管(SWNTs)和纳米A1粉体,然后用提纯后的SWNTs和纳米A1粉体制备出SWNTs含量(质量分数)分别为0、2.5%、5.0%、7.5%和10.0%的单壁纳米碳管/纳米铝基块体复合材料.SWNTs对高强度纳米A1基体具有显著的增强作用,当SWNTs含量小于5.0%时,材料的硬度随着SWNTs含量的提高线性上升.其中5%SWNTs和纳米A1的复合增强效果最好,其硬度可达2.89GPa,大约是粗晶A1(0.15GPa)的20倍.当SWNTs含量超过5.0%时,增强效果开始缓慢的下降.讨论了单壁纳米碳管增强纳米铝基复合材料的强化机制.  相似文献   
8.
一种96×64彩色OLED显示驱动电路的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
OLED是一种新型平板显示器件,文章设计了一种应用于96×64彩色PM-OLED的显示驱动芯片。该芯片能实现256级对比度调节和65k色彩显示。芯片为高压、大电流的数模混合电路,内部包括数字控制电路,片内SRAM,片内振荡器,DC-DC升压电路,行驱动电路,高压基准电流源电路,以及电流精确可调的列驱动电路。该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动电路采用PAM方式实现灰度调制,以及大电流预充的方式对PM-OLED屏幕像素进行预充。全芯片已通过Nanosim仿真,并进行了部分测试。仿真和测试结果验证了设计的正确性。  相似文献   
9.
冶金企业的信息化建设模式及分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文主要阐述了国内冶金企业信息化建设的四种模式,分析这四种模式的优劣点,提出适合大型企业信息化建设模式的发展方向.  相似文献   
10.
平面Z-型软磁铁氧体频率特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究分析了Co2Z材料显微结构与磁性能的关系,在普通铁氧体工艺中引入预磁化处理方法,并适当控制二次再结晶现象,成功地研制出高性能的Co2Z型宽频材料,Z-型铁氧体材料的共振频率可达1.8GHz以上,截止频率在1GHz附近,起始磁导率在8-13之间,介电常数相对较低(ε'<30)。  相似文献   
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