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991.
采用混码器降低码型效应的全光时钟提取技术的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
为减少全光时钟提取中的码型效应,设计了混码器对注入数据脉冲进行预处理。理论分析表明,在时域上,混码器可以改变注入数据信号脉冲幅度的概率分布,减少零码;在频域上,混码器可以减少连续谱分量。实验证明混码器能使注入数据信号的脉冲幅度集中于最大值的二分之一处,并减少零码。理论计算和实验同时证明,使用路数更多的混码器,或将几个混码器级联使用,提取的时钟能得到更大的改善。实验中使用基于半导体光放大器(SOA)的注入锁模光纤激光器进行40GHz全光时钟提取,由码型效应导致的时钟信号的幅度波动和定时抖动得到了明品的抑制.使用混码器后提取的时钟信号的定时抖动均方根(Jitter RMS)小于2.4ps。 相似文献
992.
993.
基本放大器和运算放大器中存在着线性与非线性、稳态与暂态等不同的工作情况。图解分析共射放大电路,当三极管处于非线性状态时,存在着动态失真时管压降与静态管压降不同的现象,原因在于电路中稳态与暂态响应的不同。基本微分电路对于阶跃输入,电路中也有线性与非线性的转换过程及暂态到稳态的交替变化。分析表明,模拟电路中线性与非线性、稳... 相似文献
994.
995.
The GaAs based InGaAs metamorphic structures and their growth by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated. The controlling of the source temperature is improved to realize the linearly graded InGaAs metamorphic structure precisely. The threading dislocations are reduced. We also optimize the growth and annealing parameters of the InGaAs quantum well (QW). The 1.3-μm GaAs based metamorphic InGaAs QW is completed. A 1.3-μm GaAs based metamorphic laser is reported. 相似文献
996.
997.
998.
为了探究液晶材料的介电性能,本文研究了4PPTGS和4PUTGS两种含氟三环NCS类液晶材料的介电各向异性和介电损耗。首先用精密LCR表(Agilent E4980A)测量液晶盒的电容并用双盒模型和液晶盒电容模型得到4PPTGS和4PUTGS两种液晶材料的平行和垂直介电常数,再由电压-电容特性曲线得到它们的阈值电压,并进一步探讨了介电各向异性和阈值电压对温度的依耐性;然后,在20 Hz~10kHz范围内研究了外加电压频率对液晶材料介电损耗的影响,两种液晶材料在1kHz左右都存在介电损耗峰值,为了减小器件的功耗和提升器件的质量,液晶材料应选择在介电损耗小的频率下工作;最后,通过对平行和垂直排列向列相盒中液晶材料在不同电压下介电损耗的测试与分析,介电损耗的变化是由于在外加电场下液晶分子固有偶极矩的取向极化引起的,介电损耗值的大小与液晶分子的排列状态密切相关。此项研究对提升液晶材料在应用中的介电性能具有一定的指导意义。 相似文献
999.
1000.