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Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
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介绍射水造墙的接缝原理,并把自己在施工过程中为确保接缝质量达到设计要求而总结出一些经验和处理措施提出为一起探讨。 相似文献
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王振宇 《电气电子教学学报》2002,24(6):43-45
多级并接型权电阻解码网络结构简单,分析方便,文章给出了普通的和BCD码多级并接型权电阻解码网络,推导出了各级与运放的连接电阻的通用公式,并用EWB软件进行了电路模拟,这种方法对自行设计权电阻DAC有一定的参考价值。 相似文献
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Ni-Mo-O催化剂中协同作用对丙烷氧化脱氢的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
在 Ni-Mo-O体系中 ,加入 Mo O3 能极大地提高丙烷氧化脱氢制丙烯的反应活性。选用固混法、沉淀法、柠檬酸法制备了 Mo O3 过量 1 5 % (摩尔分数 )的α -Ni Mo O4催化剂 ,其中用沉淀法制得催化剂在 5 0 0℃ ,V( C3 H8) /V ( O2 ) /V ( N2 ) =1 0 /1 0 /5 0 ,反应气流量为 70 m L/min的条件下丙烷转化率可达 38.7% ,丙烯选择性达 70 .1 4 %。经 XRD,XPS,TPR表征说明 ,在含有过量 Mo O3 的催化剂中 ,α -Ni Mo O4与 Mo O3 两种晶体之间可产生微小的相互吸引 ;从而发挥协同作用 ,是提高催化剂活性 相似文献
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高加速应力筛选(HASS)概述 总被引:4,自引:1,他引:3
林震 《电子产品可靠性与环境试验》2002,(6):57-61
高加速应力筛选(HASS)是一种新兴的试验技术,用于产品的生产阶段。在暴露和剔除产品的制造和工艺缺陷,提高可靠性,降低野外失败和返修率等方面非常有效。从研究开发HASS的背景出发,介绍了HASS的目的及作用,重点探讨了高加速的基本原理,典型的HASS过程。 相似文献
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Provision of Quality‐of‐Service (QoS) guarantees is an important and challenging issue in the design of integrated‐services
packet networks. Call admission control is an integral part of the challenge and is closely related to other aspects of networks
such as service models, scheduling disciplines, traffic characterization and QoS specification. In this paper we provide a
theoretical framework within which call admission control schemes with multiple statistical QoS guarantees can be constructed
for the Generalized Processor Sharing (GPS) scheduling discipline. Using this framework, we present several admission control
schemes for both session‐based and class‐based service models. The theoretical framework is based on recent results in the
statistical analysis of the GPS scheduling discipline and the theory of effective bandwidths. Both optimal schemes and suboptimal
schemes requiring less computational effort are studied under these service models. The QoS metric considered is loss probability.
This revised version was published online in June 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献