全文获取类型
收费全文 | 57290篇 |
免费 | 5335篇 |
国内免费 | 3057篇 |
专业分类
电工技术 | 3493篇 |
技术理论 | 7篇 |
综合类 | 4560篇 |
化学工业 | 9742篇 |
金属工艺 | 3464篇 |
机械仪表 | 3686篇 |
建筑科学 | 4667篇 |
矿业工程 | 1732篇 |
能源动力 | 1691篇 |
轻工业 | 3996篇 |
水利工程 | 1147篇 |
石油天然气 | 2959篇 |
武器工业 | 452篇 |
无线电 | 6475篇 |
一般工业技术 | 6721篇 |
冶金工业 | 2731篇 |
原子能技术 | 562篇 |
自动化技术 | 7597篇 |
出版年
2024年 | 201篇 |
2023年 | 807篇 |
2022年 | 1325篇 |
2021年 | 2028篇 |
2020年 | 1604篇 |
2019年 | 1437篇 |
2018年 | 1573篇 |
2017年 | 1657篇 |
2016年 | 1538篇 |
2015年 | 2216篇 |
2014年 | 2660篇 |
2013年 | 3126篇 |
2012年 | 3602篇 |
2011年 | 3868篇 |
2010年 | 3289篇 |
2009年 | 3287篇 |
2008年 | 3211篇 |
2007年 | 3223篇 |
2006年 | 3316篇 |
2005年 | 2658篇 |
2004年 | 2109篇 |
2003年 | 2403篇 |
2002年 | 3009篇 |
2001年 | 2581篇 |
2000年 | 1581篇 |
1999年 | 1529篇 |
1998年 | 1081篇 |
1997年 | 868篇 |
1996年 | 847篇 |
1995年 | 720篇 |
1994年 | 590篇 |
1993年 | 444篇 |
1992年 | 333篇 |
1991年 | 228篇 |
1990年 | 186篇 |
1989年 | 147篇 |
1988年 | 114篇 |
1987年 | 72篇 |
1986年 | 40篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 29篇 |
1983年 | 21篇 |
1982年 | 28篇 |
1981年 | 14篇 |
1980年 | 21篇 |
1979年 | 9篇 |
1978年 | 6篇 |
1977年 | 3篇 |
1976年 | 4篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 421 毫秒
101.
102.
103.
104.
Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ 相似文献
105.
106.
107.
108.
BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。 相似文献
109.
110.