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81.
Dynamic oxide voltage relaxation spectroscopy   总被引:3,自引:0,他引:3  
A new method for trap characterization of oxidized silicon is described. The Dynamic Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (DOVRS) is an improved version of the formerly proposed Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (OVRS) technique which applies a periodic long duration constant current for tunneling injection. It has been demonstrated that the new technique can be used not only to separate and identify the oxide trap from interface trap, but also to separate and determine the centroid from the oxide trap density generated in the MOS system by the tunneling current stress. In the pulse constant current mode, the OVRS measurement can be completed instead of using the double current-voltage technique. Thus the new method results in more accurate and quicker measurements of the oxide trap centroid. Analytical expressions for computing the paramaters of the interface and oxide traps are derived. The effect of the channel carrier mobility on the spectroscopy is also considered. Two types of oxide and two types of interface traps were observed at a pulse constant Fowler-Nordheim current stress by the new method of DOVRS  相似文献   
82.
The Fe-Ag granular metal solid samples with 10% and 30% weight iron have been successfully fabricated using a sol-gel method, which are characterized by X-ray diffraction and transmission electron micrography. The average diameters of iron particles are from about a few nanometres to a few tens of nanometres controlled by the reducing temperature. The evolution of magnetic properties and microstructure during heat treating are described in detail and explained by using the superparamagnetism, single domain and multi domain theories. The magnetic anisotropy of the Fe-Ag granular solid is studied by using the law of approach to saturation. It is found that the magnetic anisotropy constant is in the order of 105 J m–3 which is higher than the value of the bulk iron and increases with the increase of reducing temperature.  相似文献   
83.
84.
用于生产甲基丙烯酸的杂多酸催化剂的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
郑维义  林青 《工业催化》1993,1(3):13-18
以异丁烯为原料的两段直接氧化生产甲基丙烯酸最新工艺有许多优点。其技术关键在于研制出高效的甲基丙烯醛选择性氧化催化剂。本文报道P-Mo-As-Cu杂多化合物催化剂的组成、制备条件对催化剂活性的影响。经优化后获得高选择性、高活性的二段氧化催化剂,其甲基丙烯酸收率达60%以上。  相似文献   
85.
The interfacial stress intensity factors for three types of sandwich specimens: the single edge crack tensile specimen, the three point bend specimen and the four point shear specimen were obtained by the finite element analysis and compared with the asymptotic solutions. The results show that the geometric effect for mode II specimen is larger than mode I specimen. The limit curves for geometry factor equal to 1.05 were obtained to indicate the usable range of validity of the asymptotic solution.  相似文献   
86.
Recent studies have suggested that cytokines play a critical role in the pathophysiology of alopecia areata; however, no information is available regarding the difference in cytokine profiles in these patients. Serum levels of cytokines, including interferon gamma (IFN-gamma), tumor necrosis factor alpha, interleukin 1 alpha (IL-1 alpha), IL-2, IL-4, and IL-6, were measured using radioimmunoassay or enzyme-linked immunosorbent assay techniques in patients with the localized form and the extensive form (alopecia universalis). The serum levels of IL-1 alpha and IL-4 were significantly elevated in patients with the localized form. In contrast, the serum levels of IFN-gamma and IL-2 were significantly elevated in patients with the extensive form. These results indicate that immune responses in the localized form and the extensive form of alopecia areata are regulated by Th2 cytokines and Th1 cytokines, respectively.  相似文献   
87.
88.
本文提出一种多输入排队ATM交换结构和相应的输出冲突解决方法,它可以使交换网络避免输入队固有的排头阻塞,从而使网络在不增加运行速率的情况下,可达到输出排队的性能。文中介绍了冲突解决办法及其实现技术,说明它可方便地在高速网中实现。  相似文献   
89.
在工业生产条件下,对影响HPb59-1水平连铸律材热轧开裂的熔铸工艺进行了试验研究.取三个熔铸工艺因素:铸造速度、冷却水压力、冷却水温度.试验结果表明;铸造速度对热轧开裂影响极为显著,使其控制在410mm/min左右可获得较为理想的效果.  相似文献   
90.
由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。  相似文献   
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