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41.
42.
43.
王玉芝  付恩生 《激光杂志》1992,13(3):128-130
用614.3nm染料激光照射以Ne为缓冲气体的Ca空心阴极灯,观察到了Ca原子的Pen-ning离化效应。对比在Li空心阴极灯中获得的光电流信号,解释了Ca原子的彭宁离化。  相似文献   
44.
45.
46.
本文介绍一种集中热换热站的专用测控系统,它以MCS-51单片机为核心组成,文中描述了它的控制原理和算法及其构成和功能。  相似文献   
47.
48.
也谈轻型钢结构房屋柱基设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
于大永  付英莲 《钢结构》2006,21(2):88-88
对柱脚抗剪键的设置和计算中所取用的荷载组合提出个人观点,同时对轻钢结构柱脚螺栓受拉计算提出注意事项.  相似文献   
49.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作   总被引:2,自引:1,他引:1  
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。  相似文献   
50.
由于气液增力技术综合了液压及气动的优点,因而在许多发达国家得以应用和推广,被称为温顺的重体力劳动者。近年来国外的气液增力缸(气液增力压床)纷纷进入我国市场,该技术必将在我国工业的未来发展中发挥重要的作用。气液增力技术的核心是气液增力缸,主要由快进缸、增力缸、气液转换回路等组成(见附图)。在快进缸与增力缸之间是一个密闭的封油腔,封油腔中的油液是力放大的转换介质。(1)基本工作原理①主控制阀接通气路通道1,工作活塞快速顶出,完成从起始位置到接触工件之间的快进行程,当接触外载(即压、冲到工件遇阻力)时与通道1相连的通道4…  相似文献   
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