n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究

本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J－V特性实验测量的初步结果－经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO／Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p-Si异质结性能。     

低温p—Si薄膜的制备研究

引言 近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部,可以有效降低材料成本,同时LCD整体的重量和厚度将会大幅度的减少。     

人工智能技术在嵌入式开发中的应用

阐述了人工智能技术的发展和特点,并结合嵌入式技术开发特点,探讨了人工智能技术在嵌入式开发中的应用优势,并进一步分析了嵌入式开发中人工智能技术的应用。     

入侵防御系统分析

介绍了入侵防御系统,比较了入侵检测系统和入侵防御系统,给出了入侵防御系统的体系结构,分类、优缺点并分析了其发展方向.     

硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心

报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700 ℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.     

基于流量感知的多径低能量的光网络设计

针对建立在共享多点对多点的光广域网,提出了一个多径全光网络解决方案及多径共享网络系统架构,该网络可以使用已有的组件,能源功耗低,更简单有效。给出了基于流量感知的动态带宽分配算法,仿真分析结果表明,该系统设计在吞吐量和延迟方面有出色表现。     

自适应滤波技术在电声系统中的应用

本文在分析自适应递归滤波器算法的基础上，给出了该技术应用于电声系统频响特性测量和补偿的一种方法。该方法具有自适应的特点，可用于非最小相位系统的测量和补偿。     

基于梯度的HEVC自适应码率控制算法研究

针对新一代视频编码标准HEVC中的码率控制问题,提出了一种基于梯度的自适应码率控制算法.算法的主要特点是自适应获取每个LCU的梯度来表示其复杂度,根据复杂度分配LCU层目标比特.同时,在分配帧层目标比特时利用缓冲区的状态信息,以使编码器输出的实际码率更符合给定的目标码率,并使缓冲区滞留的数据尽量少,即传输时延尽量小.实验结果表明,该算法与标准的HEVC码率控制提案K0103相比,缓冲区滞留数据量平均减少约39.31％,峰值信噪比平均提高约0.54 dB,同时实际码率与目标码率之间的码率偏差平均降低约0.39％.