倾斜条带开采有限元模拟研究

使用有限元数值模拟的方法对米村矿倾斜条带开采的保留煤柱受力状况、岩层移动的参数及条带开采的开挖步骤进行了模拟研究，为煤矿进行建筑物下倾斜条带开采提供参考依据。     

新疆油田微生物开采稠油技术研究及矿场试验

通过室内筛选复壮,选育出对克拉玛依稠油具有显著降粘作用的微生物菌种.室内降粘实验结果表明,菌种对稠油的降粘率可达70%,同时菌种可以改善稠油的流体性质.原油族组分分析结果表明,菌种能够降解稠油中的非烃和长链饱和烃.首次在克拉玛依油田进行了6口井的微生物吞吐开采稠油矿场试验,累计增油865t.     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

多点静态测量温度补偿新方法

在电阻应变的实际测试中，由于应变片的敏感栅存在温度效应，一般采用桥路线路温度补偿法进行补偿，但温度补偿片与工作片粘贴在不同的构件上，而构件的热容量不同，工作片和温度片之间肯定有温度差，当热容量相差比较大时，不可能完全补偿，尤其当测点较多时，需要多片补偿片，所引用的误差也相应增大，有时甚至补偿不起作用。本文通过讨论当前的各种补偿方法，提出了一种新的用工作片补偿工作片的方法，整个测量系统只需一片补偿片，可以减少测量误差。     

省煤器管开裂原因分析

对省煤器开裂管进行了化学成分及宏、微观分析。分析结果表明，在高温高压条件下，在其焊缝溶合区出现粗大的魏氏组织，管材中的珠光体组织产生了不同程度的球化，而母材组织又存在严重的带状组织。在过热条件下熔合区极易出现裂纹，并由此快速扩展，造成省煤器管开裂。