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11.
生姜抗氧化成分的提取与应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
对生姜中抗氧化成分提取的方法与工艺条件进行了探讨;对提取物在植物油和富脂食品中的抗氧化保鲜作用进行了应用研究。  相似文献   
12.
利用米糟制备食用大米浓缩蛋白   总被引:2,自引:0,他引:2  
在对米糟一般化学成分的含量与特性进行分析的基础上,采用己烷抽提脱脂、热水洗涤除糖等方法,即排杂法制备食用大米浓缩蛋白。发现原料中的蛋白质回收率达到94.6%,产品中蛋白质含量达到72.5%。  相似文献   
13.
过氧化苯甲酰的性能及其在面粉中添加量的检测方法   总被引:9,自引:0,他引:9  
介绍了面粉增白剂过氧化苯甲酰的理化性质与增白机理,论述了面粉中添加过氧化苯甲酰的利与弊,分析了面粉增白剂使用中存在的问题与主要原因,综述了面粉中过氧化苯甲酰的检测方法。  相似文献   
14.
为了降低绝缘体上硅(SOI)功率器件的比导通电阻,同时提高击穿电压,利用场板(FP)技术,提出了一种具有L型栅极场板的双槽双栅SOI器件新结构.在双槽结构的基础上,在氧化槽中形成第二栅极,并延伸形成L型栅极场板.漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度,提高了击穿电压;对称的双栅结构形成双导电沟道,加宽了电流纵向传输面积,使比导通电阻显著降低;L型场板对漂移区电场进行重塑,使漂移区浓度大幅度增加,比导通电阻进一步降低.仿真结果表明:在保证最高优值条件下,相比传统SOI结构,器件尺寸相同时,新结构的击穿电压提高了123%,比导通电阻降低了32%;击穿电压相同时,新结构的比导通电阻降低了87.5%;相比双槽SOI结构,器件尺寸相同时,新结构不仅保持了双槽结构的高压特性,而且比导通电阻降低了46%.  相似文献   
15.
56种植物原料抗氧化性能研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
采用Rancimat法,对所选56种天然植物原料进行抗氧化活性研究,结果表明,诃子、补骨脂、厚朴、生姜、地榆、何首乌、白屈菜、丁香、香薷、肉豆蔻、牛蒡、草果、山楂、芡实等14种原料具有强抗氧化活性。  相似文献   
16.
响应面分析法优化红花黄色素提取工艺条件   总被引:12,自引:0,他引:12  
在单因素实验的基础上,利用Box-Benhnken中心组合实验和响应面分析法,确定了红花黄酮类黄色素提取的最佳工艺条件,即pH8.9的水溶液为溶剂,液料比25mL/g,提取温度73℃,提取次数3次,每次浸提时间98min。在此条件下.可提取出红花中黄色素总量的98%。  相似文献   
17.
RP-HPLC法测定红花中羟基红花黄色素A的含量   总被引:2,自引:0,他引:2  
建立了红花中的主要功效成分羟基红花黄色素A含量测定的RP-HPLC方法.色谱柱为Betabasic 18柱(250 mm×4.6 mm,5 μm),流动相为甲醇和0.5%乙酸水溶液,梯度洗脱,流速1mL/min,柱温30℃,检测波长为402 nm.线性范围:0.043 2~0.864μg,检测限2.1 ng(按信噪比S/N=3计).该方法快速、准确.  相似文献   
18.
代红丽  张潇  谢健  刘伟  胡顺仁 《电源技术》2022,46(2):216-219
Peukert模型已被广泛用于铅酸电池、锂电池等储能元件的状态估计.然而,现有研究缺乏对低功耗设备常用储能元件和小电流工况的考虑,并且忽略了储能元件之间的横向对比分析.基于此,在小电流工况下,通过恒阻放电实验拟合建立了超级电容、碱性电池和锂亚电池的Peukert模型,验证并对比分析了Peukert模型对这三类储能元件的...  相似文献   
19.
维生素E是大豆种子中的重要功能性成分之一,其含量与组成随品种和生长环境的不同而存在差异,本研究采用高压液相色谱法,以硅胶柱为固定相,正己烷-异丙醚(90:10v/v)为流动相,用流动相溶解由大豆种子萃取得到的大豆油,油样在20分钟内不受试样中其它成分的干扰、快速、准确分析测定生育酚含量.并对我国东北、黄淮流域100多种大豆种子,及国内进口的美国转基因大豆种子中生育酚含量进行了分析测定,比较了两地区及美国转基因大豆种子中生育酚含量,筛选出维生素E含量高的大豆种子和种植地区,为优质大豆育种工程提供理论依据.  相似文献   
20.
近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4 μm的高K介质膜包围的SiO2沟槽中引入垂直场板的新型结构。与传统沟槽LDMOS相比,垂直场板和高K介质膜充分地将电势线引导至沟槽中,提高了击穿电压。此外垂直场板与高K介质和漂移区形成的MIS金属-绝缘层-半导体电容结构能增加漂移区表面的电荷量,降低比导通电阻。通过二维仿真软件,在7.5 μm深的沟槽中引入宽0.3 μm、深6.8 μm的垂直场板,实现了具有300 V的击穿电压和4.26 mΩ·cm2的比导通电阻,以及21.14 MW·cm-2的Baliga品质因数的LDMOS器件。  相似文献   
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