基于同时多表面设计原理的非球面成像光学系统初始结构构造方法研究北大核心CSCD

设计非球面光学系统,尤其是含有多个非球面光学表面的光学系统,合理的初始结构可以有效地减少设计工作量,提高后续的优化效率,本文提出利用同时多表面(simultaneous multiple surfaces,SMS)设计原理构建初始结构的方法,并且分析了其在成像光学系统设计中的像差特性,根据分析提出了利用SMS方法开展非球面光学系统初始结构设计的流程。最后使用该方法获得一款激光雷达接收装置的光学系统初始结构,经过进一步优化后,得到了工作中心波长850 nm,系统焦距20 mm,相对孔径为1/1.6,视场角为40°,总长小于30 mm的设计结果,验证了该方法在确定非球面光学系统初始结构方面的可行性。     

利用CPLD实现多路数据采集

设计了以CPLD为核心处理芯片的多路数据采集系统。整个数据采集系统可实现最大采集频率为800kHz。通道数为48路的模拟信号的采集。系统中采用了TI公司最新推出的高速低功串行通信控制。     

计算开路器边缘电容的简单方法

本文介绍了开路器数学模型的建立和定义，对开路器数学模型中的边缘电容和延迟的计算和描述进行了研究，重点介绍了一种计算开路器边缘电容的简单方法，最后以3.5mm同轴开路器为例验证了此方法。     

一种应用于PT间隔过程层合智一体装置研制

研究了母线PT间隔合并单元和智能终端一体化。结合实际,给出了产品装置的软硬件架构图,详细介绍了应用于PT间隔以PowerPC MPC8377为核心处理芯片的模拟量合智一体装置的研制。给出了硬件方案和软件设计方案,实现了合智一体装置GOOSE的订阅与发布,通过开关量的采集实现了对PT间隔刀闸状态监视,通过模拟量的采集和合并实现了SV的上送。最终满足了工程对合并单元和智能终端集约化需求,并且达到了节省空间、减少光口、节约成本的效果。实验结果表明,研制的母线合智一体装置成本低廉、功能强大、性能优良,较好地完成了对PT刀闸的状态监视和控制、对母线电压的采集合并及其规约转换功能。该装置完全满足智能化变电站IEC 61850通信规约。     

数字化转型下通信运营商商业模式、管理模式及发展趋势探讨

通信、信息技术的快递迭代发展,消费者需求的变化,除传统通信产品外,运营商竞争市场由寡头竞争市场逐渐演变成为市场竞争机制,迫使运营商转变运营思路,改变商业模式、企业管理模式,扩大垂直价值链,深挖存量客户价值,利用传统产品优势逐步扩大政企市场占比,不断提升企业价值。通过探讨运营商商业模式、企业管理模式及发展趋势给运营商未来发展提供新思路。     

超宽带大功率合成器设计北大核心CSCD

在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层

<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然     

长波长细径保偏光纤的制作

通过介绍长波长熊猫型细径保偏光纤的制作工艺过程.分析细径保偏光纤制作的技术难点,初步解决了细径保偏光纤制作工艺中的问题,制作出了长波长熊猫型细径保偏光纤样品.所制作的保偏光纤在1550nm波长下损耗小于1dB/km,偏振串音达到近-28dB/km.     

移动应用安全防护技术研究

本文首先分析了移动应用的安全现状,提出了移动应用安全评估方法,包括客户端安全评估、服务器安全评估和业务流程安全评估,最后给出了移动应用典型安全漏洞及其检查方法与加固建议,包括敏感数据暴露、鉴权机制缺陷、代码保护不足、公共组件漏洞和应用配置错误。