一种基于FPGA的BiSS编码器解码器设计

BiSS协议是一种高速同步串行通信协议,使用BiSS协议的编码器有利于提高伺服控制系统的动态性能,在高精度绝对式编码器中应用广泛.本文在分析BiSS协议数据帧特点的基础上,利用FPGA设计了BiSS协议编码器解码器,采集了BiSS协议编码器位置数据和总线波形,通过与DSP联合使用,基于BiSS协议编码器对永磁同步电机的...     

基于IP库的可编程器件辅助设计软件

针对当前嵌入式系统的特点,设计了一个基于IP库的可编程器件辅助设计软件。这个辅助软件不仅可以对已设计的IP模块进行管理,而且还能根据系统设计规范的要求自行生成相应的HDL程序,提高了设计效率,并可实现设计的重复利用。     

自适应门限子波消噪的专用芯片研究

本文从子波变换与完全重构FIR滤波器组的特定关系出发,将输入数据按一定规律重新排列之后实时地将数据分解到不同的尺度空间,然后经过正交子波基的Donoho非线性软门限消处理。同时,推导出信号休止期内的相对实时自适应噪声方差处。在此子波消噪专用芯片的研究过程中,利用可编程逻辑器件CPLD进行了时序仿真和验证,为超大规模子波芯片设计及实时应用提供一个良好的工作基础。     

基于热光效应的智能窗薄膜材料

基于半导体和金属间的相变特性,重点介绍了基于热光效应的二氧化钒薄膜材料,描述了当前国内外的研究进展.给出了能应用于智能窗的纳米二氧化钒薄膜材料,并与常规的二氧化钒薄膜材料进行了分析比较.对这种智能窗薄膜材料的原理与应用前景进行了评述.可以预计,随着对太阳能材料的不断研究与开发,基于热光效应的智能窗薄膜材料在太阳能利用方面将具有巨大潜力.     

可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备

利用新研制出的垂直式低压CVD(LPCVD)SiC生长系统,获得了高质量的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底材料.系统研究了3C-SiC的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面形貌对反应气体中SiH4流量和C/Si原子比率的依赖关系.利用Hall测试技术、非接触式方块电阻测试方法和SIMS,分别研究了3C-SiC的电学特性、均匀性和故意调制掺杂的N浓度纵向分布.利用MBE方法,在原生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底上进行了GaN的外延生长,并研究了GaN材料的表面、结构和光学特性.结果表明3C-SiC是一种适合于高质量无裂纹GaN外延生长的衬底或缓冲材料.     

一种新颖的多功能低相移DC-50 GHz单片可变衰减器

Ga As MMIC控制电路开关由于其体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高等显著优点在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多功能低相移 DC- 5 0 GHz高性能单片压控可变衰减器 ,获得了优异电性能。据了解 ,这是世界上第一次报道这种具有低相移功能的 DC- 5 0 GHz单片压控可变衰减器 ,国外的类似产品不具备这种低相移功能 ,同时还采用了直流参考电路和 MBE外延材料及相关工艺技术制造 ,不仅电路复杂 ,给工艺成品率、可靠性和成本带来不利 ,同时还会带来功耗(标称最大直流功耗 1 5 2 m…     

高压水清除氧化皮技术

本文系统地介绍了联邦德国Werner and Pfteiderer公司用高压水清除轧件及锻件表面氧化皮的新技术,包括高压水清除氧化皮的机理,水耗量及压力计算、喷嘴的设计、液压系统及轧制钢板和锻件表面氧化皮的高压水清理装置     

基于MSP430单片机的现场数据实时采集系统

本文根据现场数据采集系统的设计原则,采用片内自带A/D转换模块及大容量数据RAM且微功耗性能突出的MSP430F149单片机,并结合大容量串行FLASH数据存储器,详细阐述了能满足现场应用环境的大容量数据实时采集系统的设计思路和具体实现方法.     

硅基3C-SiC的热氧化机理

采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.     

台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器#1,#2,#3和#4,并分别测试它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n层和n+衬底组成.在探测器#1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和层以及p层制备出探测器#2,#3和#4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器#2,其次是探测器#4,#1,#3,其中探测器#2比其他类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器#1位于341nm处,探测器#2,#3和#4分别在312,305和297nm处.