COMPOSITE RECIPROCAL LATTICE UNIT CELLS FOR CUBIC TWINS

本文导出了体心立方和面心立方挛晶复合倒易点阵的六角单胞。利用这两种模型可以形象地说明立方挛晶电子衍射谱的花样特点,从而能进一步简化其衍射谱的计算和标定过程。     

THE MORPHOLOGY OF BAINITE IN A 30CrMnSi STEEL

用薄膜透射电子显微镜研究了30CrMnSi钢的贝氏体相变,得到如下的结果,(1)在这个钢中看到了双轨式或侧析式下贝氏体和分叉式上贝氏体。观察到下贝氏体片的中筋和上贝氏体片端的阶梯。(2)在下贝氏体中,测定了渗碳体与贝茵铁素体基体之间的位向关系,贝茵铁素体与奥氏体之间的取向关系,它们是: (010)_θ∥(1(?))_B,(1(?))_B∥(011)_A; (103)_θ∥(101)_B,(101)_B∥((?)1)_A,认为碳化物是由奥氏体析出的.(3)下贝氏体的形成与回火第二阶段,即残留奥氏体的分解是相似的。这个阶段中的奥氏体、ε碳化物、渗碳体与贝茵铁素体四种相之间的关系可以统一地表示如下: (111)_A∥(000(?))_ε∥(103)_θ∥(101)_B, (011)_A∥((?)10)_ε∥(010)_θ∥(1(?))_B, ((?)1(?))_A∥((?)10)_ε∥(403)_θ∥(121)_B,所有结构的特定的密排面和密排方向是平行的。     

透射电镜电子衍射谱的自动识别与计算

透射电镜电子衍射谱的分析和标定是测定微区晶体点阵结构的重要方法,但该工作长期以来一直处于手工操作阶段,测量周期长,误差较大本文探讨了一种利用计算机辅助处理电子衍射谱图象的技术,可以对大部分衍射谱进行实时处理,测量时间短,误差小采用扫描仪获取图象,由计算机自动识别衍射斑点并快速计算矢量R1,R2,R3和﹄,为电子衍射谱的计算提供了一种新的模式同时本系统内含衍射谱标定软件,可以在晶体结构未知的情况下测定衍射斑点位向,为电子衍射谱的实时分析和自动化做了进一步的工作     

30CrMnSi钢的贝氏体形态

<正> 贝氏体相变具有扩散和切变的双重特征,所以它的相变过程比较复杂。目前在贝氏体相变机制的讨论中,对于下贝氏体中碳化物析出的来源和贝氏体中铁素体组分的长大机构两个问题仍然存在着较大的争议。为了进一步澄清上述争论的问题,我们利用透射电子显微镜观察了30CrMnSi钢的贝氏体形态,并测定了其中组成相之间的晶体取向关系。     

复合PSZ材料结构研究

由ＭｇＯ和Ｙ２Ｏ３或ＣｅＯ２复合稳定的ＺｒＯ２在高温热处理过程中,发生立方相向四方相的相变,由于Ｙ２Ｏ３或ＣｅＯ２和ＭｇＯ的复合作用,相变过程中产生大量介稳的ｔ－ＺｒＯ２析出体ｔ－ＺｒＯ２析出体随稳定剂含量不同而呈现不同形貌：ＭｇＯ含量高时,ｔ－ＺｒＯ２析出体的形状类似方析出体与立方基体的关系承袭二元系的位向关系,为「００１」ｃ／／「００１」ｔ．ｃ－ＺｒＯ２相变过程中生成介稳立方相ｃ′－ＺｒＯ２和     

CeO2 的加入对(ZrO2)0.86(MgO)0.14陶瓷电导率的影响

对(ZrO     

复合PSZ残余应力及微观结构分析

用有限元方法研究了复合ＰＳＺ材料立方到四方相变过程中的残余应力及其对材料微观结构的影响。     

CeO_2基电解质材料的扫描电镜观察

用Ｓｍ ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３共同掺杂ＣｅＯ２基电解质组分（ＣｅＯ２）０９（Ｓｍ ２Ｏ３）００５（Ｇｄ２Ｏ３）００５随着烧结温度的提高,晶粒持续长大,由１４００℃烧结时的２～３μｍ 长大到１６００℃烧结时的１０～１２μｍ ,单位尺寸内的晶界数量减少;各温度烧结样品的断口都呈穿晶断裂。ＣｅＯ２基电解质可以在１４００～１４５０℃烧结并获得较高电导率：８００℃时约为７Ｓｍ － １．随着烧结温度的提高,电导率下降,这可能是由于晶间玻璃相的增多造成的。     

ZrO2的加入对(CeO2)0.86(SmO1.5)0.14陶瓷性能的影响

探讨了添加ＺｒＯ２和ＣｅＯ２／Ｓｍ２Ｏ３体系电导率和力学性能的影响,并用ＸＲＤ、ＳＥＭ等对材料的微观性能进行了试验分析,结果发现,添加ＺｒＯ２使材料的电导率降低,主要是因为ＺｒＯ２的固溶使得ＣｅＯ２电解质材料的晶格常数减小,活化能增加造成的;添加ＺｒＯ２可提加ＺｒＯ２促进了致密烧结,使晶界结合紧密。实验确定,外加２．５ｍｏｌ％ＺｒＯ２的ＣｅＯ２电解质具有适中的强度和电导率,可以作为电解质材料应用。