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51.
介绍了纳米线的研究发展历史、纳米线应用在新型太阳电池上的特点和优势、Si基纳米线结构应用在太阳电池方向的制备方法的研究进展、纳米线作为新型一维平面结构所具有的电学特性和特殊的光学减反特性。重点介绍了国内外对Si基纳米线阵列应用在太阳电池上的研究现状和最新研究进展,同时指出了研究中存在的问题以及今后的研究重点。由于纳米线特殊的载流子分离机制以及显著的光学减反特性,它在提高太阳电池效率、降低成本上仍具有很大潜力,在太阳电池领域的研究中占有重要地位。今后,纳米线太阳电池的研究仍将是国内外研究的热点问题之一。 相似文献
52.
对全耗尽 SOI(FD SOI) CMOS器件和电路进行了研究 ,硅膜厚度为 70 nm.器件采用双多晶硅栅结构 ,即NMOS器件采用 P+多晶硅栅 ,PMOS器件采用 N+多晶硅栅 ,在轻沟道掺杂条件下 ,得到器件的阈值电压接近0 .7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟道边缘出现空洞 (V oids) ,采用了注 Ge硅化物工艺 ,源漏方块电阻约为5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 .其中当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振单级延迟为 45 ps 相似文献
53.
自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器 总被引:2,自引:1,他引:2
对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B. 相似文献
54.
何永亮李万青严建强刘静岩刘新峰严增男张鹏程 《铸造》2021,(5):598-602
简要介绍了冷坩埚真空感应悬浮熔炼装备的发展现状、应用及其组成.在实际熔炼合金的过程中,通过PLC对熔炼中的各项工艺数据采集、运算、存储、分析、优化,制定了最优的熔炼工艺曲线,PLC和工业计算机之间相互通讯使真空悬浮熔炼过程的逻辑控制与过程控制得以实现,并能够进行远程监控、控制、诊断与管理,保证了后续熔炼合金成分均匀及质... 相似文献
55.
提出了一种基于对角占优阵的频域水印算法,实现数字产品版权认证。在宿主图像DCT域构造严格对角占优阵并进行LU分解,之后在U阵中进行二值图像水印嵌入。嵌入过程中利用Logistic混沌序列对水印置乱加密,检测过程为盲检测。实验分析表明,该算法具有良好的不可见性、鲁棒性和安全性。 相似文献
56.
57.
主要研究了采用GCr15轴承钢的出油阀座淬火后其表面产生的黑色组织,分析和探寻了黑色组织的本质和成因,认为:选择适当的淬火工艺就可以避免黑色组织的产生,进一步提高出油阀座的热处理质量。 相似文献
58.
59.
60.