基于改进单纯形算法的HSVS补偿系统自适应PID控制研究

结合机械投切电容器(MSC)、晶闸管投切电容器(TSC)及晶闸管相控电抗器(TCR)特性,本文设计了1种新型的混合型静止无功补偿系统(HSVS),使MSC、TSC、TCR分别工作在粗调、细调和精调的工作模式。为解决PID控制对这三者的配合问题,提高控制精度与系统鲁棒性,引入了单纯形算法作为PID参数的学习函数,并对单纯形算法的步长调整以及测度引入加以改进。仿真实验证明,与普通的自适应PID控制器相对比,改进了单纯形算法的自适应控制在混合型无功补偿系统电压控制中的可行性与高效性,提高了补偿精度与适应性。     

一种新型传热管自动清洗用强化斜齿扭带研究

光滑扭带具有自动清洗传热设备水垢的功能，但是在管内低流速下由于自转力矩太小而不能应用。为此研制一种能够显著增大自转力矩的强化型斜齿扭带。试验结果表明：在管内流速相同情况下，强化型斜齿扭带与结构参数相同的光滑扭带相比：自转力矩增大277％，传热系数提高22％，流体阻力保持在工程许可的范围内。因此，这种强化型斜齿扭带可以在低流速的列管式传热设备中广泛应用。     

励磁系统可控整流逆变电路的MATLAB建模仿真教学

三相可控整流逆变电路具有很强实用性,而基本的整流逆变电路随着负载和移相角的不同其元件器上所承受的电压电流以及负载电压电流的波形变化很大,给教学带来不便,给学带来了一定的难度。在对励磁系统中三相可控整流逆变电路的教学过程,利用MATLAB/Simulink仿真软件的特点和强大仿真功能,以课程中的难点和实际中最常用的三相可控整流逆变电路为例进行仿真建模分析。教学实践表明,采用这种教学方法不仅可以帮助学生理解课中的难点,使课程中许多抽象的概念形象化,而且提高了学生的学习兴趣、分析和解决实际问题的能力,提高了教学效果和质量。     

基于神经网络逆系统方法的链式STATCOM线性化解耦控制

针对链式STATCOM补偿负载无功电流以及稳定电网电压的控制问题,建立了链式STATCOM动态数学模型,得出了双变量δ、M(移相角与调制比)和电流的关系式,提出了一种基于神经网络逆系统控制方法,通过对该链式STATCOM系统可逆的验证、神经网络的构建以及控制系统的设计,实现了链式STATCOM输出的有功-无功电流的线性化解耦控制。仿真结果表明,在感性负载与容性负载进行切换以时,该控制策略取得了良好的动态效果以及稳态效果,使得装置具有较好的抗参数变化、抗负载扰动性能,从而验证了该控制策略的有效性及可行性。     

光伏并网系统的混成控制研究

针对光伏并网系统是一个非线性、不确定性、非纯一性的典型混成动态系统,本文将混成控制理论应用于光伏并网系统的最大功率点跟踪和并网逆变器控制策略的设计。首先简单介绍了混成控制理论,分析了光伏并网系统的混成特性,然后分别设计了最大功率点跟踪和并网逆变器混成控制决策,建立了基于混成自动机的光伏并网系统控制模型,最后通过仿真验证所建模型及方法的正确性和有效性。仿真结果表明该方法能够快速实现最大功率点跟踪,并能够实现并网电流精确跟踪电网电压。     

并联型有源电力滤波器的最优矢量滞环电流控制方法

提出和探讨了一种新颖的最优瞬时空间电压矢量滞环电流控制方法.     

电钢瞬时无功电流及瞬时畸变电流的微机测量

在广义无功功率理论的基础上,阐述了瞬时无功电流和瞬时畸变电流微机测量技术的原理和电路构成。     

一种自动清洗式传热强化新元件 ——旋流口椭圆齿平带

针对斜齿螺旋扭带的制造困难,提出了一种自动清洗式传热强化新元件--旋流口椭圆齿平带,每个椭圆齿都是使平带自转的流体动力结构元素,平带两侧的旋流口使管内的部分液体形成螺旋线流,因而具有近似斜齿螺旋扭带那样能够在较低流速下自转、实现管内污垢在线自动清洗的性能。同时流体经过椭圆齿后产生的大量涡流、管内部分液体转变成的螺旋线流以及螺旋线流与轴向流线不断交错混合等三方面的综合作用,使管内对流传热得到强化。对椭圆齿的齿距、斜角和旋流口三个因素进行了试验研究,结果表明：旋流口椭圆齿平带在管内流速为0.5 m/s左右就能可靠旋转运行;相对于光滑螺旋扭带,旋流口椭圆齿平带的管内侧传热系数可提高171％;其在管内流速为0.625 m/s时的流体阻力为3.25 kPa/m,流体阻力在一般工程许可的范围内。因此,旋流口椭圆齿平带具有良好的综合性能,并且又容易制造,具有较高的工程应用价值。     

基于动态规划的电网无功补偿综合优化法

针对传统无功补偿优化方法的局限性,采用动态规划对电网无功补偿进行优化,能够同时实现无功补偿容量和位置的综合优化.重点介绍了动态规划方法的基本思想、数学模型和计算方法,通过实例计算和分析,证明其具有明显的优越性和实用性.     

基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计

介绍了一种最新DDR NAND闪存技术,它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制,提供更好的读写速度,以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用.分析该新型闪存软硬件接口的设计方法.