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针对新型阻挡层抛光液存在Cu和正硅酸乙酯(TEOS)抛光速率一致性差、运输贮存过程中细菌滋生造成抛光表面缺陷的问题,选取脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)非离子表面活性剂和作为杀菌剂的阳离子表面活性剂十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC),通过复配2种表面活性剂研究其对Cu和TEOS抛光速率一致性以及杀菌效果的影响,并阐述相关的影响机制。实验结果表明:Cu和TEOS抛光速率随着复配表面活性剂体积分数的增加而降低,复配表面活性剂主要控制测量点到晶圆中心的距离为70~150 mm区域内的铜抛光速率,对于TEOS,复配表面活性剂主要控制0~70 mm区域内的铜抛光速率;复配表面活性剂体积分数的增加可同时提高Cu和TEOS抛光速率一致性,但高体积分数复配表面活性剂可造成表面划伤;DDBAC作为非氧化性的杀菌剂,具有较强的抗菌抑菌能力,可通过改变细菌膜通透性,使细菌裂解死亡,杀菌效果显著。 相似文献
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大多数铜硫矿物表面易氧化,而氧化会对矿物浮选行为及药剂在矿物表面的吸附产生重要影响。目前,关于氧化对铜硫矿物浮选的影响,研究者开展了大量相关研究并取得了显著成果。从铜硫矿物表面氧化影响因素出发,重点分析了溶液性质、矿物晶格缺陷等因素对铜硫矿物表面氧化的影响机理。针对氧化后铜硫矿物浮选回收难度增加的原因进行了分析,一方面,氧化后铜硫矿物表面溶解产生的金属离子增加,会使铜硫矿物表面相互影响严重,造成铜硫矿物难以浮选分离;另一方面,铜硫矿物表面氧化产生的强亲水性的金属氧化物及氢氧化物则会严重减弱捕收剂的有效吸附,使铜硫矿物可浮性降低。基于此,从铜硫矿物表面氧化层脱落方法和氧化后铜硫矿物表面调控方法两方面论述了氧化后铜硫矿物浮选强化措施及其机理。最后,针对氧化后铜硫矿物浮选强化措施提出了相关建议,以期为实现氧化后铜硫矿物高效浮选回收提供借鉴。 相似文献
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为了评估星载相控阵T/R组件的电性能、温度传感和抗单粒子效应能力,针对星载X波段T/R组件中一款自主研发的温度传感控制芯片,设计开发了一套基于LabVIEW的自动测试系统。系统采用高速数字I/O技术,提高了芯片电性能测试速度;同时系统具备高精度自动温度测试功能,能够精确评估芯片温度传感性能;另外系统具备数据自动处理功能,能够完成芯片电性能测试数据和设计指标的比对、温度测试数据和标定温度的误差分析以及单粒子效应试验前后数据变化量统计。最后采用本系统对芯片功耗、温度传感和抗单粒子效应能力进行了实测分析,测试结果表明该芯片功能正常、性能良好,可用于温度剧烈变化和充满空间辐射的航天环境,同时测试系统具备操作简单、可移植性好、测试速度快和测试精度高等优点。 相似文献
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设计了一款12 bit高稳定性控制类数模转换器(DAC),该DAC集成了带有稳定启动电路的新型低失调带隙基准源(BGR),改善了基准电路的稳定性以及对温度和工艺的敏感性;DAC采用了改进的两级电阻串结构,通过开关电阻匹配和特殊版图布局,在既不增加电路功耗又不扩大版图面积的前提下,提高了DAC的精度并降低了工艺浓度梯度对整体性能的影响.基于CSMC 0.5 μm 5 V 1P4M工艺对所设计的DAC芯片进行了流片验证.测试结果表明:常温下DAC的微分非线性(DNL)小于0.45 LSB,积分非线性(INL)小于1.5 LSB,并且在-55~125℃内DNL小于1 LSB,INL小于2.5 LSB;5V电源电压供电时功耗仅为3.5 mW,实现了高精度、高稳定性的设计目标. 相似文献
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刘童驎 《电气电子教学学报》2007,29(5):22-23
动态电路复杂性阶数是电工理论的一个基本问题,降低复杂性阶数的原因分为显性约束和隐性约束。关于显性约束一般文献表述为C-us回路和L-is割集。本文论证了L-us回路和C-is割集同样可成为显性约束条件,并给出了实例验证。 相似文献